MOP mikroschemų konstrukcijų analizė ir technologiniai procesai

Išanalizuoti MOP mikroschemų konstrukcijas topologiniame brėžinyje ir silicio kristale. Sudaryti MOP mikroschemų technologinį maršrutą.
Pagrindiniai technologiniai procesai gaminant KMOP IS.
a) difuzija n tipo priemaišų į p sritį, gaminami n kanaliniai tranzistoriai.
b) difuzija p tipo priemaišų į n sritį, gaminami p kanaliniai tranzistoriai.
c) difuzija užtvarų n kanalinių ir p kanalinių tranzistorių.
d) Metalizacija.
Antro, trečio, ketvirto tranzistorių topologija
Difuzinis sluoksnis polisilicio kontaktas
(ištaka, santaka) sluoksnis(užtūra) metalas
1.pav
Pagal kristalo topologinį brėžinį sudaryta elektrinė schema
2. pav. Pilnojo sumatoriaus elektrinė schema
tranzistoriaus pjūvis
2. Atsakymai į klausimus:
1. Kokie MOP mikroschemos gamybai panaudotos technologijos privalumai ir trūkumai lyginant su dvipolių schemų gamybos technologija?
MOP tranzistoriai turi daug privalumų lyginant juos su dvipoliais tranzistoriais- mažas triukšmas, atsparūs radiacijai, didelė įėjimo varža. Trūkumai – mažesnis veiksmingumas didelis laiko nestabilumas, nedaug blogesni technologiniai parametrai. MOP IS nėra prasmės daryti papildomą sritį, kad izoliuoti elementus vieną nuo kitų, dėl to integracijos laipsnis aukštesnis nei integracijos laipsnis IS su dvipoliais tranzistoriais. Tada ir technologiniai maršrutai gaminant MOP tranzistorius turi mažiau operacijų. Technologinis privalumas...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!