Integrinių komponenčių konstrukcijų tyrimas ir susipažinimas su programiniu paketu Tanner Tools Pro

1.Susipažinti su naudojamomis integrinėse mikroschemose komponentėmis, jų konstrukcijomis.
2.Susipažinti su programiniu paketu Tanner Tools Pro, įvertinti jo galimybes, privalumus ir trūkumus.
Elementus sudarančių sluoksnių geometriniai matmenys paskaičiuojami ir vaizduojami naudojant programą DRT .
Pasirenkamas technologinis žingsnis: 1 m.
1.1 npn tranzistoriaus skaičiavimas
Kolektoriaus srovė: I  100 mA;
Darbinis dažnis: f  2 GHz;
Darbinė įtampa: U  5V;
Stiprinimo koeficientas: β  55.
Apskaičiuoti npn tranzistoriaus parametrai:
Emiterio plotis: 6,29m;
Emiterio ilgis: 19,07m;
Emiteris-bazė dugno talpa: 0,12pF;
Emiteris-bazė šoninė talpa: 0,072pF;
Kolektorius-padėklas šoninė talpa: 0,089pF;
Kolektorius-padėklas dugnas: 0,094pF;
Bazė kolektorius: 0,038pF;
1 pav. npn tranzistorius
1.2 npn tranzistoriaus skaičiavimas
Kolektoriaus srovė: I  50 mA;
Darbinis dažnis: f  0,5 GHz;
Darbinė įtampa: U  12V;
Stiprinimo koeficientas: β  45.
Apskaičiuoti npn tranzistoriaus parametrai:
Emiterio plotis: 5,69m;
Emiterio ilgis: 10,54m;
Emiteris-bazė dugno talpa: 0,06pF;
Emiteris-bazė šoninė talpa: 0,036pF;
Kolektorius-padėklas šoninė talpa: 0,057pF;
Kolektorius-padėklas dugnas: 0,085pF;
Bazė kolektorius: 0,034pF;
2 pav. npn tranzistorius
1.3 pnp tranzistoriaus skaičiavimas
Kolektoriaus srovė: I  50 mA;
Darbinis dažnis: f  1 GHz;
Darbinė įtampa: U  5V;
Stiprinimo koeficientas: β  20.
Apskaičiuoti NPN tranzistoriaus parametrai:
Emiterio plotis: 3,79m;
Emiterio ilgis: 3,16m;
Emiteris-bazė dugno talpa: 0,012pF;
Emiteris-bazė šoninė talpa 0,0072pF;
Kolektorius-padėklas šoninė talpa: 0,024pF;
Kolektorius-padėklas dugnas: 0,0569pF;
Bazė-kolektorius: 0,0227pF;
3 pav. pnp tranzistorius
1.4 pnp tranzistoriaus skaičiavimas
Kolektoriaus srovė: I  60 mA;
Darbinis dažnis: f  2 GHz;
Darbinė įtampa: U  10V;
Stiprinimo koeficientas: β  30.
Apskaičiuoti NPN tranzistoriaus parametrai:
Emiterio plotis: 4,64m;
Emiterio ilgis: 15,49m;
Emiteris-bazė dugno talpa: 0,072pF;
Emiteris-bazė šoninė talpa 0,00432pF;
Kolektorius-padėklas šoninė talpa 0,071pF;
Kolektorius-padėklas dugnas: 0,07pF;
Bazė-kolektorius: 0,028pF;
4 pav. pnp tranzistorius
2. Pasyvūs elementai
2.1 Epitaksinio rezistoriaus skaičiavimas
Koeficientas 25;
Nominalas R  50;
Tekanti srovė I  200mA;
Dažnis: f  100MHz.
Apskaičiuoti rezistoriaus parametrai:
Išsklaidoma galia: P  2W;
Kvadratų skaičius: 2;
Kvadrato matmenys: 447 x 447m;
Plotis: 0,447mm;
Ilgis: 0,89mm;
Patikslintas rezistoriaus ilgis: 1,11mm;
Mastelis: M  1:8. 5 pav. Epitaksinis rezistorius
2.2 Jonais legiruoto rezistoriaus skaičiavimas 6 pav. Jonais legiruotas rezistorius
Koeficientas 600;
Nominalas R  1200;
Tekanti srovė I  500mA;
Dažnis: f  200MHz.
Apskaičiuoti rezistoriaus parametrai:
Išsklaidoma galia: P  300W;
Kvadratų skaičius: 2;
Kvadrato matmenys: 5477 x 5477m;
Plotis: 5,447mm;
Ilgis: 10,95mm;
Patikslintas rezistoriaus ilgis: 13,69mm;
Mastelis: M  1:64.
2.3 Sandūrinio kondensatoriaus skaičiavimas
Piešimo mastelis M1:4; 7 pav. Sandūrinis kondensatorius
Dažnis: f ...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!