Integrinių grandynų elementų konstrukcijų analizė

Atliko: KT – 5/1 gr. st.
Atlikti naudojamų integriniuose grandynuose (IG) elementų konstrukcijų analizę.
Darbe, naudojantis programa DRT, buvo apskaičiuoti ir nubraižyti pagrindiniai integrinių grandynų elementai– dvipoliai ir vienpoliai (MOP) tranzistoriai bei pasyvūs elementai- rezistoriai ir kondensatoriai. Kiekvieno elemento parametrai paskaičiuoti dviems gamybos technologijos žingsniams. Lentelėse pateikti užsiduoti ir apskaičiuoti elementų elektriniai ir konstrukciniai parametrai, o paveikslėliuose parodyti jų topologiniai brėžiniai.
1 lentelė. Dvipolių tranzistorių parametrai.
parametrai
Tranzistoriaus tipas
npn
pnp
Kolektoriaus srovė, mA
11
11
Darbinis dažnis, GHz
2
2
Darbinė įtampa, V
11
11
Stiprinimo koeficientas β
50
15
Gamybos technologijos žingsnis, μm
0,18
1
0,18
1
Apskaičiuoti
parametrai
Emiterio plotis, μm
6
6
3,286
3,286
Emiterio ilgis, μm
2,2
2,2
4,017
4,017
Emiteris– bazė: dugno talpa, pF
0,0132
0,0132
0,0132
0,0132
Emiteris– bazė: šoninė talpa, pF
0,00792
0,00792
0,00792
0,00792
Kolektorius– padėklas: dugno talpa, pF
0,0287
0,287
0,02556
0,0256
Kolektorius– padėklas: šoninė talpa, pF
0,018
0,09
0,00986
0,0493
Talpa bazė– kolektorius, pF
0,0072
0,036
0,00394
0,0197
Naudojamų spalvų sarašas:
n sluoksnis; n+ sluoksnis; p sluoksnis; dielektrikas(SiO2); metalizacija(Al); poli Si;
a)
b)
c)
d)
1 pav. a) npn, 0,18 μm technologija; b) npn, 1 μm technologija;
c) pnp, 0,18 μm technologija; d) pnp, 1 μm technologija.
2 lentelė. MOP tranzistorių parametrai
Nustatyti parametra
Tranzistoriaus tipas
p kanalinis
n kanalinis
Su poliSi užtūra
Tekanti srovė, mA
0,2
0,2
0,2
Darbinė įtampa, V
3
3
3
Darbinis dažnis, GHz
0,3
0,3
0,3
Gamybos technologijos žingsnis, μm
1
0,5
1,5
0,5
1,5
0,5
Apskaičiuoti
parametrai
Atstumas tarp santakos
ir ištakos, μm
15,75
10,5
15,75
10,05
15,75
10,5
Užtūros ilgis, μm
12,75
8,5
12,75
8,5
12,75
8,5
Lango matmenys, μm
9,75 x 9,75
6,5 x 6,5
9,75 x 9,75
6,5 x 6,5
9,75 x 9,75
6,5 x 6,5
Dielektriko storis, μm
1
1
1
1
1
1
Dielektriko storis
po užtūra, μm
-
-
-
-
0,25
0,25
a)
b)
c)
d)
e)
f)
2 pav. MOP tranzistorių topologijų brėžiniai:
a) p kanalinis, 1 μm technologija;...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!