Puslaidininkinių diodų ir optoelektroninių elementų analizė

1. Darbo tikslas.
Tyrinėti ir pagrįsti puslaidinikinių diodų ir optoeletroninių elementų veikimo principus, bei savybes. VACh ir parametrus, teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnų, darbą paprasčiausiose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose.
2.1.2. Sujungus diodo VACh tiesioginės šakos matavimo schemą, išmatuojame germanio diodo D20 VACh tiesioginę šaką ir gautus duomenis surašomeme į 1 lentelę.
0.04
0.1
0.2
0.4
1
2
4
8
16
U (V)
0
0.13
0.156
0.176
0.21
0.243
0.293
0.364
0.433
0.51
0.613
0.8
2.7.2 Sujungus diodo VACh atbulinės šakos matavimo chemą, išmatuojame germanio diodo D20 VACh atbulinę šaką ir duomenis surašome į lentelę.
U(V)
0
-5
-10
-15
-20
-15
-30
-35
I (A)
0
-1
3.2
-8.9
-19.6
-39.8
-90.8
-164.7
Pagal gautus rezultatus braižome diodo D20 VACh.
Diodo D20 tiesioginės šakos VACh
Diodo D20 atbulinės šakos VACh
Diferencialinė varža: Statinė varža:
2.1.3 Iš gautos VACh nuimame diodo duomenis (I1,U1,U2,U3), reikalingus VACh lygčiai optimizuoti, priderinti. I1 reikšmė paimama pasirinktinai, taip, kad Is neviršytų diodo didžiausios leistinosios srovės. Germanio diodo atveju, jeigu išmatuojama diodo atbulinė srovė ir ji laikoma parametru (srove) lo , tai galima apsieiti su dviejų darbo taškų duomenimis.
VACh parametrai skaičiuojami pagal tokias formules:
2.2 Silicio diodo BAT85 tyrimas
2.2.1 Sujungus anksčiau naudotą chemą (l pav), išmatuojame silicio diodo VACh tiesioginę šaką ir gautus duomenis surašome į lentelę.
I (mA)
0
0.01
0.02
0.04
0.1
0.2
0.4
1
2
4
8
16
U(V)
0
0.12
0.14
0.16
0.18
0.2
0.22
0.24
0.26
0.28
0.31
0.35
2.2.2. Sujungus 2 pav. chemą išmatuojame silicio diodo BAT85 VACh atbulinę šaką ir dumenis surašome į lentelę.
U(V)
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
I (mA)
0
-0.6
-1.2
-1.8
-2.2
-2.8
-3.3
2.2.3. Pagal gautus rezultatus braižome silicio diodo BAT85 VACh.
Silicio diodo BAT85 tiesioginės šakos VACh
Silicio diodo BAT85 atbulinės šakos VACh
Diferencialinė varža: Statinė varža:
Germanio diodo D20 ir silicio diodo BAT85 tiesioginės šakos VACh.
2.2.4. Iš gautos VACh nuimame diodo duomenis (I1,U1,U2,Us) reikalingus VACh lygčiai optimizuoti, priderinti. I1 reikšmė paimama pasirinktinai taip, kad Is neviršytų diodo didžiausios leistinosios srovės.
VACh parametrai skaičiuojami pagal tokias formules:
2.3 Stabilitrono BZX55C5V1 tyrimas
2.3.1 Sujungus anksčiau nurodytą chemą (1 pav.), išmatuojame stabilitrono BZX55C5V1. VACh tiesioginę šaką ir gautus duomenis surašome į lentelę.
I (mA)
0
0.01
0.02
0.04
0.1
0.2
0.4
1
2
4
8
16
U(V)
0
3.51
3.8
4.08
4.44
4.68
4.85
5.05
5.13
5.18
5.22
5.26
2.3.3. pagal gautus rezultatus braižome stabilitrono BZX55C5V1 VACh.
2.4. Šviesos diodo L-53YD tyrimas
2.4.1. Pagal anksčiau sujungtą 1 pav. Išmatuojame šviesos...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!