Puslaidininkinių diodų bei optoelektroninių elementų tyrimo ataskaita

Tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkinių diodų, diodinio optrono veikimo principus, bei savybes, VACh ir parametrus diodų teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnį, diodų darbą paprasčiausiose elektroninėse schemose. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leidžiamųjų būvių ar režimų srityse. Išmokti naudotis diodų ir diodinių elementų žinynais.
Diodas – tai dvipolis elektronikos elementas, kurio laidumas priklauso nuo abiejų ženklų krūvininkų. Pagal pn sandarą puslaidininkiai skirstomi į taškinius ir plokštinius. Pagal pn sandūros savybes diodai yra skirstomi į lygintuvinius, aukštadažnius, impulsinius diodus, puslaidininkinius stabilitronus, varikapus tunelinius ir atvirkštinius diodus.
Lygintuviniai diodai: Naudojami kintamai srovei lyginti. Naudojama ventilinė pn sandūros savybė. Svarbiausi parametrai maksimali atgalinė įtampa ir maksimali tiesioginė srovė.
Aukštadažniai diodai: Tai diodai, kuriais galima lyginti kelių šimtų megahercų srovę. Svarbiausi parametrai difuzinė srovė, difuzinė talpa ir diferencialinė varža.
3. Eksperimentų rezultatai ir jų analizė
3.1 Germanio ir Silicio diodų tyrimas
Iš laboratorijoje duotos lentelės pagal darbo vietos numerį pasirenkam germanio ir silicio diodus. Sujungiame tyrimo schemą (žr. 1pav.) (germanio diodui Ra=1,5 [kΩ], silicio diodui Ra=30 [kΩ]). Išmatuojam tiesioginio ir atvirkštinio jungimo diodų VACh.
3.1.1 Germanio ir Silicio diodų VACh matavimas
Kadangi laboratorijoje naudojamas voltmetras nėra begalinės varžos, į mikroampermetro išmatuotą srovę I įeis ir per voltmetrą tekančios srovės didumas IEV. Todėl norint tiksliai išmatuoti per diodą tekančios srovės didumą IVD reikia iš išmatuotos srovės I atimti per voltmetrą tekančios srovės didumą IEV. ( IVD=I-IEV ) voltmetro vidaus varža REV=10 [MΩ], tai pagal Omo dėsnį: IEV=UD\REV. Gautus rezultatus surašome į lentelę.
1 lentelė: Germanio diodas
uD,[mV]
-40000
-30000
-15000
-7900
-5200
-4,68
-2,62
-0,11
82,29
110,12
139,37
207,1
287,1
307,3
371,5
483,7
642,2
769,6
1062,3
iVD,[μA]
-3,1
-3
-0,5
-0,5
-0,4
-0,3
0
0
10
20
40
100
200
400
1000
2000
4000
8000
16000
2 lentelė Silicio diodas
uD,[mV]
-40000
-30000
-15000
-7900
-5200
-4,68
-2,62
-0,11
345,3
363,2
385,7
438,3
442,2
485,6
500,2
548,9
629,5
631,8
736,7
iVD,[μA]
0
0
0
0
0
0
0
0
10
20
40
100
200
400
1000
2000
4000
8000
16000
Pastaba: jeigu per elektroninį elementą teka gana didelė srovė, (elemento varža yra maža), tai mikroampermetro parodymai yra pakankamo tikslumo ir atmesti voltmetro srovę nebūtina.
Išvada: iš diagramos matyti, kad silicio diodo VACh yra statesnė nei Germanio diodo. Tai reiškia, kad silicio diodas labiau atitinka idealaus diodo savybes.
3.1.2 Germanio ir Silicio diodų parametrų skaičiavimas
Galima gauti germanio ir silicio teorines VACh. Tam reikia teorinę formulę priderinti prie eksperimentinių duomenų.
Silicio...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!