Kursiniai darbai
Elektronikos įtaisų ir jų gamybos procesų modeliavimo analizė
Elektronika – tai mokslo ir technikos šaka, tirianti ir praktiškai naudojanti reiškinius, kurie vyksta judant krūvininkams įvairioje aplinkoje. XXa. šeštojo dešimtmečio pabaigoje susiformavo nauja elektronikos šaka – mikroelektronika, tirianti, kurianti ir gaminanti kompaktiškas, patikimas ir ekonomiškas integrines mikroschemas. Pastaruoju metu elektroninė aparatūra plačiai taikoma visose žmogaus veiklos srityse. Ji tampa vis sudėtingesnė, atlieka vis įvairesnes funkcijas.
Sukūrus planarinę diskretinių tranzistorių gamybos technologiją, atsirado galimybės realizuoti grupinius tranzistorių gamybos metodus – apdorojant vieną puslaidininkinę plokštelę, gaminti didelį tranzistorių skaičių. Be to susidarė prielaidos sukurti puslaidininkinę integralinę schemą (IS).
Integracinės schemos – konstrukcinės, technologinės ir mokslinės bei techninės integracijos rezultatas. Integracija – tai dalių, elementų jungimas į visumą. Konstrukcinė integracija pasireiškia tuo, kad visi elektrinės schemos elementai integralinėje schemoje sudaro nedalomą visumą. Technologinės integracijos esmę sudaro tai, kad integralinių schemų gamyboje taikomi grupiniai gamybos metodai. Pagaliau mokslinė bei techninė integracija pasireiškia tuo, kad integracinių schemų gamyboje taikomi naujausi fizikos, chemijos, metalurgijos, metrologijos bei kitų mokslo ir technikos šakų laimėjimai.
Elektroninės aparatūros ir kompiuterizuotų informacinių sistemų pagrindą sudaro puslaidininkiniai integriniai grandynai (IG). Integrinės mikroschemos – tai šiuolaikinės mikroelektronikos gaminiai, skirti pakeisti signalui ar informacijai kaupti. Integrinės mikroschemos (arba tiesiog mikroschemos) yra sudarytos iš daugelio miniatiūrinių elementų ar jų grupių (komponentų.), kurie atlieka elektronikos elementų (rezistorių, kondensatorių, diodų, tranzistorių) ar jų grupių funkcijas. Mikroschemai ir jos komponentams būdinga tai, kad jų elementai visi kartu sudaro nedalomą visumą; kiekvienas iš jų negali būti naudojamas kaip atskiras vienetas. Integrinės mikroschemas galima suskirstyti į sluoksnines, puslaidininkines ir hibridines.
Elektroninės aparatūros ir kompiuterizuotų informacinių sistemų pagrindą sudaro puslaidininkiniai integriniai grandynai (IG). Integrinių grandynų gamybai plačiai taikomas priemaišų difuzijos mechanizmas. Difuzijos procesas silicio puslaidininkių integrinių grandinių technologijoje taikomas aktyviųjų (tranzistorių, diodų) ir pasyviųjų (rezistorių, kondensatorių, jungiamųjų takelių) elementų struktūroms formuoti. Siekiant gauti reikalingą savitąją puslaidininkio varžą arba pakeisti laidumo tipą, į silicio kristalą įterpiami kito elemento (III arba V gr. Periodinės Mendelejevo sistemos)...
Šį darbą sudaro 3416 žodžiai, tikrai rasi tai, ko ieškai!
- Turinys 2
- 1. Difuzijos proceso tyrimas. 4
- 1.1 Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų įterpimo etapo. 4
- 1.2 Apskaičiuoti ir nubraižyti, kaip priemaišų įterpimo etape kinta priemaišos srauto tankis ir legiravimo dozė. 7
- 1.3 Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų perskirstymo etapo. 10
- 1.4 Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą tranzistoriuje, formuojamame dvikartės difuzijos būdu. 12
- 2. Dvipolio tranzistoriaus tyrimas. 14
- 2.1 Rasti dvipolio tranzistoriaus h parametrus: 14
- 2.2 Sudaryti tranzistoriaus Π pavidalo ekvivalentinės grandinės schemą, rasti jos elementų parametrus. 15
- 2.3 Apskaičiuoti išėjimo srovės kintamąją dedamąją, kai kintamoji įėjimo įtampa yra 28 mV. 16
- 2.4 Rasti žemų dažnių įtampos stiprinimo koeficientą, kai apkrovos varža lygi 800Ω 16
- 3. Lauko tranzistoriaus tyrimas 17
- 3.1 Nubraižyti lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikas, kai UDS = 4, 6, 12 V. 18
- 3.2 Apskaičiuosime lauko tranzistoriaus parametrus duotajame darbo taške: 19
- 3.3 Sudarykime lauko tranzistoriaus ekvivalentinės grandinės schemą: 19
- 3.4 Apskaičiuosime fT kai C11= 7 pF, C11=14 pF; 19
- 3.5 Apskaičiuosime kintamąją išėjimo srovės dedamąją, kai kintamosios įtampos amplitudė yra 20 mV: 20
- 3.6 Rasime žemų dažnių įtampos stiprinimo koeficientą, kai apkrovos varža lygi 604 Ω: 20
- 4. PAB juostinio filtro projektavimas 20
- Išvados: 25
- Literatūra : 25
★ Klientai rekomenduoja
Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?
Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!
Norint atsisiųsti šį darbą spausk ☞ Peržiūrėti darbą mygtuką!
- Elektronikos kursinis darbas
- 25 psl., (3416 ž.)
- Word failas 561 KB
- Lygis: Universitetinis
Atsisiųsti šį kursinį darbą
Mūsų mokslo darbų bazėje yra daugybė įvairių mokslo darbų, todėl tikrai atrasi sau tinkamą!
Panašūs darbai
Privalumai
Darbo pakeitimo garantija
Atsisiuntei rašto darbą ir neradai jame reikalingos informacijos? Pakeisime jį kitu nemokamai.
Gauk 25% nuolaidą
Pirkdamas daugiau nei vieną darbą, nuo sekančių darbų gausi 25% nuolaidą.
Greitas aptarnavimas
Išsirink norimus rašto darbus ir gauk juos akimirksniu po sėkmingo apmokėjimo!
Atsiliepimai
