Kursiniai darbai
Elektronikos įtaisų ir jų gamybos procesų modeliavimas ir tyrimas
Elektronika – tai mokslo ir technikos šaka, tirianti ir praktiškai naudojanti reiškinius, kurie vyksta judant krūvininkams įvairioje aplinkoje. XX a. šeštojo dešimtmečio pabaigoje susiformavo nauja elektronikos šaka – mikroelektronika, tirianti, kurianti ir gaminanti kompaktiškas, patikimas ir ekonomiškas integrines mikroschemas. Pastaruoju metu elektroninė aparatūra plačiai taikoma visose žmogaus veiklos srityse. Ji tampa vis sudėtingesnė, atlieka vis įvairesnes funkcijas.
Sukūrus planarinę diskretinių tranzistorių gamybos technologiją, atsirado galimybės realizuoti grupinius tranzistorių gamybos metodus – apdorojant vieną puslaidininkinę plokštelę, gaminti didelį tranzistorių skaičių. Be to susidarė prielaidos sukurti puslaidininkinę integralinę schemą (IS).
Integrinės mikoschemos – tai šiuolaikinės mikroelektronikos gaminiai, skirti pakeisti signalui ar informacijai kaupti. Integrinės mikroschemos (arba tiesiog mikroschemos) yra sudarytos iš daugelio miniatiūrinių elementų ar jų grupių (komponentų.), kurie atlieka elektronikos elementų (rezistorių, kondensatorių, diodų, tranzistorių) ar jų grupių funkcijas. Mikroschemai ir jos komponentams būdinga tai, kad jų elementai visi kartu sudaro nedalomą visumą; kiekvienas iš jų negali būti naudojamas kaip atskiras vienetas. Integrinės mikroschemas galima suskirstyti į sluoksnines, puslaidininkines ir hibridines.
Elektroninės aparatūros ir kompiuterizuotų informacinių sistemų pagrindą sudaro puslaidininkiniai integriniai grandynai (IG). Integrinių grandynų gamybai plačiai taikomas priemaišų difuzijos mechanizmas.
Šiame darbe atliksiu terminės difuzijos proceso tyrimą, dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimą ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymą, lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimą ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymą, PAB filtro projektavimą, atliksiu reikalingus skaičiavimus ir matavimus
.
1. Difuzijos proceso tyrimas.
1.1 Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų įterpimo etapo.
Pradiniai parametrai:
Difuzijos koeficientas (cm2/s)
310-13
Proceso trukmė (min.)
11; 15; 3
Terminė priemaišų difuzija vyksta dėl difunduojančios medžiagos – difuzanto – koncentracijos gradiento. Priemaišos koncentracijos pasiskirstymą lemia difuzijos koeficientas D (proceso temperatūra T) ir difuzijos proceso trukmė t. Difuzijos koeficientas apskaičiuojamas pagal formulę:
;
čia – proporcingumo koeficientas; – difuzijos proceso aktyvacijos energija; – Bolcmano konstanta; – difuzijos proceso temperatūra.
Praktikoje sutinkami, priemaišų difuzijos sąlygas gana gerai atitinkantys, du paprasti teoriniai modeliai: difuzija iš nesenkančio šaltinio ir difuzija iš riboto šaltinio. Nagrinėjant priemaišų įterpimą, yra laikoma, kad...
Šį darbą sudaro 2844 žodžiai, tikrai rasi tai, ko ieškai!
- 1. Difuzijos proceso tyrimas. 4
- 1.1 Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų įterpimo etapo. 4
- 1.2 Apskaičiuoti ir nubraižyti, kaip priemaišų įterpimo etape kinta priemaišos srauto tankis ir legiravimo dozė. 6
- 1.3 Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų perskirstymo etapo. 8
- 1.4 Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą tranzistoriuje, formuojamame dvikartės difuzijos būdu. 9
- 2. Dvipolio tranzistoriaus tyrimas. 11
- 2.1 Rasti dvipolio tranzistoriaus h parametrus: 11
- 2.2 Sudaryti tranzistoriaus Π pavidalo ekvivalentinės grandinės schemą, rasti jos elementų parametrus. 12
- 2.3 Apskaičiuoti išėjimo srovės kintamąją dedamąją, kai kintamoji įėjimo įtampa yra 15 mV. 13
- 2.4 Rasti žemų dažnių įtampos stiprinimo koeficientą, kai apkrovos varža lygi 198 Ω 13
- 3. Lauko tranzistoriaus tyrimas 14
- 3.1 Nubraižyti lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikas, kai UDS = 6, 10, 14 V. 15
- 3.2 Apskaičiuosime lauko tranzistoriaus parametrus duotajame darbo taške: 15
- 3.3 Sudarykime lauko tranzistoriaus ekvivalentinės grandinės schemą: 16
- 3.4 Apskaičiuosime fT kai C11= 8 pF ir 13 pF; 16
- 3.5 Apskaičiuosime kintamąją išėjimo srovę, kai kintamosios įtampos amplitudė yra 430 mV: 16
- 3.6 Rasime žemų dažnių įtampos stiprinimo koeficientą, kai apkrovos varža lygi 785 Ω: 16
- 4. PAB juostinio filtro projektavimas 17
- Išvados: 21
- Literatūra : 22
★ Klientai rekomenduoja
Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?
Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!
Norint atsisiųsti šį darbą spausk ☞ Peržiūrėti darbą mygtuką!
- Elektronikos kursinis darbas
- 23 psl., (2844 ž.)
- Word failas 736 KB
- Lygis: Universitetinis
Atsisiųsti šį kursinį darbą
Mūsų mokslo darbų bazėje yra daugybė įvairių mokslo darbų, todėl tikrai atrasi sau tinkamą!
Panašūs darbai
Privalumai
Darbo pakeitimo garantija
Atsisiuntei rašto darbą ir neradai jame reikalingos informacijos? Pakeisime jį kitu nemokamai.
Gauk 25% nuolaidą
Pirkdamas daugiau nei vieną darbą, nuo sekančių darbų gausi 25% nuolaidą.
Greitas aptarnavimas
Išsirink norimus rašto darbus ir gauk juos akimirksniu po sėkmingo apmokėjimo!
Atsiliepimai
