Ėsdinimo ir operacijų su kaukėmis procesai

Bendriausias ėsdinomo būdas integrinių schemų gamyboje yra gryno SiO2 ėsdinimas. Pirmas žingsnis IG gamyboje yra SiO2 nuėmimas pasirinktose vietose nuo plokštelės. Į šį pirmą žigsnį įeina oksido sluoksnio padengimas fotorezistu, tose vietose, kur SiO2 turi likti nenuėsdintas. Dauguma fotorezistų patikimai apsaugo oksido sluoksnį nuo ėsdiklių, po šio žingsnio visas SiO2 paviršius yra padengiamas fotorezistu ir yra atliekama fotolitografijos procesas-atveriami langai tose vietose, kur turi būti ėsdinamas SiO2,šį procesą nesunku atlikti ir valdyti. 1 pav. pavaizduotas SiO2 ėsdinimo procesas.
SiO2 sluoksnis dažniausiai ėsdinamas tik apie 1μm su koncentruota floro rūgštimi HF, ėsdinimo laikas yra apie 10min. Paprastai naudojamas fotorzisto storis siekia tik apie 1μm, beto jis gali būti teigiamasios arba neigiamasis. Teigiamieji fotorezistai turi privalumų lyginant su neigiamaisiais, nes gali būti naudojamas storesnis jų sluoksnis, o tai užtikrina SiO2 saugumą po fotorezistų; t.y. ėsdikliui yra žymiai sunkiau sugadinti fotorezistą ir psiekti SiO2 sluoksnį, kurį norima išsaugoti. O tai yra ypač svarbu, nes pirmoji nuėsdinto oksido forma įtakoja tolesnes ėsdinimo operacijas. Defektai šiame žingsnyje dažnai įtakoja įrenginio parametrus, ir vis per tolimesnes operacijas gaminant įtaisą, jo struktūra tampa, šiek tiek kitokia, nei buvo suprojektuota.
Negryno SiO2 ėsdinimas
Ėsdinti priemaišinį SiO2 yra sudėtingiau, nei gryną SiO2, pagrindinai dėl to, kad fororezisto sukibimą yra žymiai sudėtngiau pasiekti, be to ėsdinimo greitis yra didesnis, todėl ir ėsdinimo procesą yra sunkiau valdyti. Fosforo priemaišų turintis SiO2 yra bendriausias darinys šioje kategorijoje, langai yra sudaromi priemaišimiame sluoksnyje, kad susidarytų aliuminio ominiai kontaktai. Po langais išėsdintos, kontaktų vietose gaunamos skylės ir tada padengus aliuminiu visą darinio paviršių gaunami aliuminio ir silicio kontaktai.
Neigiami arba teigiami fotorezistai yra naudojami paslėpti arba fotolitografuoti priemaišinius oksidus. Ėsdiklių rūšys naudojammos tos pačios kaip ir ėsdinant negryną oksidą. Naudojimas rezisto sukibimo aktyvatorių yra rekomenduodamas, kad būtų gautas kuo geresnis sukibimas ypač kai naudojami teigiami fotorezistai.
Pagrindinė SiO2 paskirtis IG gamyboje-kaip kaukių, kai difuzijos būdu yra auginami nauji sluoksniai,...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!