Silicio-germanio heterosandūrinių bipoliarinių tranzistorių (HBT) pagrindu, veikiančio mikroprocesoriaus branduolio bandymų prie

Vilnius
2006
Įžanga
Vienas iš reikšmingiausių faktorių projektuojant greitas silicio-germanio schemas, yra sujungimų vėlinimai. Laidų parazitai, pirmiausiai atsirandantys dėl varžų, talpumų, induktyvumų yra reikšmingi, norint optimizuoti schemas pagaminimą.Istoriškai elektronikos pramonėje naudojami low-k dielektrikai, tam kad sumažinti laidų talpumus.Vario metalizacija naudojama tam kad sumažinti laidų varžas.Tačiau yra šitų charakteristikų gerinimo ribos naudojant vario low-k technologiją.Skirtingas priėjimas prie sujungimų parazitų mažinimo yra tridimensinė (3D) integracija.
3-D mikroprocesorių testavimo įrankiai turi pademonstruoti įrenginio greičio privalumus, naudojant SiGe konstruktorinę technologiją, norint sumažinti sujungimų parazitus. 3-D mikroprocesorių testavimo įrankiai, kurie yra čia aptarinėjami susideda iš sumatorių, registrų bylų, ir iš mašinų, dirbančių tandemu (dvi kartu), tokiais greičiais: 8 GHz IBM 5HP SiGe technologija, 16 GHz IBM 7HP SiGe technologija ir aukštesnė IBM 8HP SiGe.Šie technologiniai procesai turi heterosandūrinius bipoliarinious tranzistorius (HBT), kurie turi didžiausią nukirtimo dažnį ft, apytiksliai 47 GHz naudojant 5 HP, 120 GHz naudojant 7 HP ir 210 GHz naudojant 8 HP.Ateities technologijos žada dar didesnius nukirtimo dažnius, kurie sieks 375 GHz, kurie leis padidinti mikroprocesorių dažnius iki 32 GHz. Tam, kad gauti pilną naudą iš šių greitų įrenginių, yra būtina panaudoti 3-D integraciją, tam kad sumažinti sujungimų įtaką.
Silicio-germanio heterosandūriniai bipoliariniai
tranzistoriai
SiGe HBT buvo pasirinkti kaip technologija, pademonstruoti didelio greičio mikroprocesoriaus branduolį, kuris visada turės pranašumų prieš 3-D sujungimų pranašumus. Bipoliariniai įrenginiai (schemos) yra 2,5 karto greitesnės, palyginus su CMOS schemomis, naudojant ta patį fotolitografijos lygį abejose technologijose. SiGe HBT gali būti dar spartesni. SiGe HBT dažniausiai neturi naujos low-k dielektrinės medžiagos, bet yra naudojamas varis, tam kad sumažinti sujungimus, susijusius su vėlinimais.Šie procesai suteikia apytikslius demonstravimo atlikimo būdus, naudojant 3-D sujungimus.Toks didelis procesų kiekis leidžia mums pademonstruoti daug sudėtingesnes schemas, kurios gali būti panaudotos procesoriuje.Šis papildomas sudėtingumas suteikia 3-D procesorių testavimo įrenginiams riboti sujungimų ilgius, kurie artimi kai kuriems kritiniams takelių ilgiams realiuose procesorių branduoliuose.
SiGe HBT yra bipoliariniai tranzistoriai, užauginti ant silicio sluoksnio, kuris atskleidžia greičio privalumus.Valentinio...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!