Kursiniai darbai
Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projekta
Įvadas
Elektronika – tai mokslo ir technikos šaka, tirianti ir praktiškai naudojanti reiškinius, kurie vyksta judant krūvininkams įvairioje aplinkoje. XX a. šeštojo dešimtmečio pabaigoje susiformavo nauja elektronikos šaka – mikroelektronika. Mikroelektronika – plati šiuolaikinės elektronikos sritis, apimanti mikroelektronikos gaminių – integralinių mikroschemų – tyrimą, konstravimą, gamybą ir taikymą. Mikroelektronika remiasi fundamentaliaisiais mokslais (matematika, chemija, fizika) ir taikomaisiais mokslais ( mechanika, optika ir t.t.).
Sukūrus planarinę diskretinių tranzistorių gamybos technologiją, atsirado galimybės realizuoti grupinius tranzistorių gamybos metodus – apdorojant vieną puslaidininkinę plokštelę, gaminti didelį tranzistorių skaičių. Be to susidarė prielaidos sukurti puslaidininkinę integralinę schemą (IS).
Integralinė mikroschema – signalams apdoroti skirtas mikroelektronikos gaminys, kurio elementai ir juos jungiantieji laidūs takeliai suformuoti vienu technologinių procesų ciklu ir sudaro nedalomą visumą. Jos skirstomos į sluoksnines, hibridines ir puslaidininkines.
Šiame kursiniame darbe plačiau panagrinėsime terminės difuzijos procesus, įvairių parametrų priklausomybę nuo laiko ir temperatūros.
Antrojoje dalyje aptarsime dvipolio tranzistoriaus charakteristikas, apskaičiuosime h parametrus, sudarysime pavidalo ekvivalentinės grandinės schemą, rasime jos elementų parametrus, apskaičiuosime išėjimo srovės kintamąją dedamąją prie kintamos įėjimo įtampos. Taip pat rasime žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficientą prie tam tikros nurodytos apkrovos varžos.
Trečiojoje dalyje panagrinėsime lauko tranzistorių, atliksime parametrų skaičiavimus, sudarysime ekvivalentinės grandinės schemą, bei apskaičiuosime kintamąją išėjimo srovės dedamąją prie tam tikros nurodytos kintamosios įėjimo įtampos amplitudės ir rasime žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficientą.
Paskutinėje dalyje suprojektuosime paviršinių akustinių bangų juostinį filtrą. Aptarsime šio filtro sudarymo metodiką, išnagrinėsime jo sandarą, ir pateiksime filtro dažninę amplitudės charakteristiką, kuri parodo filtro pralaidumo juostos plotį. Aptarsime gautus grafikus bei padarysime išvadas.
1. Difuzijos proceso tyrimas
Difuzija (lot. diffusio - sklidimas) vadinamas kryptinis medžiagos sklidimas koncentracijos mažėjimo kryptimi dėl jos dalelių chaotiškojo judėjimo. Gaminant puslaidininkinius prietaisus ir puslaidininkines integralines schemas, difuzijos reiškinys panaudojamas puslaidininkių legiravimui. Įvedus aukštoje temperatūroje difuzijos būdu į paviršinį puslaidininkio sluoksnį priemaišų, galima pakeisti to sluoksnio laidumo tipą arba sudaryti lokalines kitokio laidumo tipo sritis.
Difuzijos procesų teorija
Difuzijos teorija pagrįsta...
Šį darbą sudaro 3706 žodžiai, tikrai rasi tai, ko ieškai!
- Įvadas 3
- 1. Difuzijos proceso tyrimas 4
- 1. Priemaišos pasiskirstymas po priemaišų įterpimo etapo 8
- 2. Priemaišų įterpimo etape kinta priemaišos srauto tankis ir legiravimo dozė 9
- 3. Priemaišos pasiskirstymas po priemaišų perskirstymo etapo 10
- 4. Priemaišų pasiskirstymą tranzistoriuje, formuojamame dvikartės difuzijos būdu 12
- 2. Dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grand. schemos sudarymas 15
- 1. Dvipolio tranzistoriaus h parametrai 17
- 2. pavidalo ekvivalentinės grandinės schema, jos elementų parametrai 19
- 3. Išėjimo srovės kintamoji dedamoji, kai kintamoji įėjimo įtampa yra 28 mV 19
- 4. Žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficientas, kai apkrovos varža 400 . 20
- 3. Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas 21
- 1. Lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikas, kai UDS = 4; 8; 12 V 21
- 2. Lauko tranzistoriaus parametrai nurodytame darbo taške 22
- 3. Lauko tranzistoriaus ekvivalentinė grandinės schema 22
- 4. , kai C11 = 4 pF 22
- 5. Kintamąją išėjimo srovės dedamoji, kai kintamosios įėjimo įtampos amplitudė yra 28 mV 22
- 6. Žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficientas, kai apkrovos varža lygi 832 22
- 4. Akustinės elektronikos įtaiso projektavimas 23
- 1. Paviršinių akustinių bangų elektrinio filtro parametrų skaičiavimas 23
- 2. Garsolaidžio ir jungimo schemos eskiziniai brėžiniai ir perdavimo funkcija 26
- 3. Grafiko aptarimas 28
- Išvados 29
- Naudota literatūra 30
★ Klientai rekomenduoja
Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?
Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!
Norint atsisiųsti šį darbą spausk ☞ Peržiūrėti darbą mygtuką!
- Elektronikos kursinis darbas
- 31 psl., (3706 ž.)
- Word failas 1 MB
- Lygis: Universitetinis
Atsisiųsti šį kursinį darbą
Mūsų mokslo darbų bazėje yra daugybė įvairių mokslo darbų, todėl tikrai atrasi sau tinkamą!
Panašūs darbai
Privalumai
Darbo pakeitimo garantija
Atsisiuntei rašto darbą ir neradai jame reikalingos informacijos? Pakeisime jį kitu nemokamai.
Gauk 25% nuolaidą
Pirkdamas daugiau nei vieną darbą, nuo sekančių darbų gausi 25% nuolaidą.
Greitas aptarnavimas
Išsirink norimus rašto darbus ir gauk juos akimirksniu po sėkmingo apmokėjimo!
Atsiliepimai
