Kursiniai darbai
Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projekta (2)
Šiame darbe išnagrinėtas puslaidininkių difuzijos procesas, dvipolių ir lauko tranzistorių parametrai ir ekvivalentinės grandinės, bei suprojektuotas akustoelektroninis paviršinių akustinių bangų juostinis filtras.
Elektronika tiria elektronų generavimo, judėjimo ir rekombinacijos reiškinius, vykstančius kietuosiuose kūnuose, skysčiuose, dujose ir vakuume. Elektronikos gaminiai dabar yra naudojami beveik visose žmogaus veiklos srityse. Plačiausiai jie taikomi informacijos perdavimo ir apdorojimo grandinėse.
Terminė priemaišų difuzija vienas iš pagrindinių integrinių grandynų (IG) gamybos etapų. Jų gamybos technologinius procesus galima suskirstyti į tris pagrindines grupes. Pirmą paruošiamų procesų grupę sudaro silicio plokštelių bei mikroschemų korpusų detalių ir mazgų gamybos procesai. Antrą grupę sudaro puslaidininkinių IS elementų formavimo ant silicio plokštelės procesai. Formavimas atliekamas taikant planarinę technologiją, naudojant epitaksijos, teminės priemaišų difuzijos, dielektrinių ir metalinių plėvelių sudarymo, fotolitografijos ir kitus procesus. Trečią grupę sudaro IS surinkimas, kontrolės bei bandymo procesai.
Po to, kai buvo sukurti integriniai grandynai, iškilo filtrų, vėlinimo linijų ir kitų komponentų, kuriems reikalingi induktyvumo elementai, miniatiūrizavimo problema. Mat didėjant integrinių grandynų integracijos laipsniui, mažėjo elektroninės aparatūros masė, tūris, savikaina, didėjo patikimumas, plėtėsi funkcinės galimybės. Tai reiškia jog mažėjo IG dažniausiai realizuojami elementai: tranzistoriai, diodai, rezistoriai ir nedidelės talpos kondensatoriai.
Sprendžiant šią problemą, buvo tobulinami aktyvieji filtrai, komutuojamos talpos filtrai, diegiami skaitmeniniai informacijos apdorojimo būdai. Be to, virpesių filtravimui ir vėlinimui buvo pradėtos taikyti paviršinės akustinės bangos ir susiformavo nauja funkcinės elektronikos kryptis – akustoelektronika.
1.1. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų įterpimo etapo.
Proceso trukmė (min): 15, 23 ir 83
Difuzija vadinamas kryptingas medžiagos sklidimas koncentracijos mažėjimo kryptimi. Šis judėjimas yra susijęs su dalelių chaotišku judėjimu. Gaminant puslaidininkinius prietaisus, difuzijos reiškinys yra panaudojamas puslaidininkių legiravimui. Šio proceso pagalba, aukštoje temperatūroje į plokštelę difuzijos būdu įvedus priemaišų, galima to sluoksnio laidumo tipą ar sudaryti kitokio laidumo sritis.
Priemaišos pasiskirstymą lemia minėtas difuzijos koeficientas D, kuris labai priklauso nuo temperatūros ir difuzijos trukmė t. Difuzijos koeficientas išreiškiamas formule:
D = D0e-Wa/kT;
Čia D0 – proporcingumo koeficientas; Wa –...
Šį darbą sudaro 2738 žodžiai, tikrai rasi tai, ko ieškai!
- Įvadas 3
- 1. Difuzijos proceso tyrimas 4
- 1.1. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų įterpimo etapo. 4
- 1.2. Apskaičiuoti ir nubraižyti, kaip priemaišų įterpimo etape kinta priemaišos srauto tankis ir legiravimo dozė. 5
- 1.3. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų perskirstymo etapo. 7
- 1.4. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą tranzistoriuje, formuojamame dvikartės difuzijos būdu. 8
- 2. Dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas 11
- 2.1. Rasti dvipolio tranzistoriaus h parametrus. 11
- 2.2. Sudaryti tranzistoriaus Π pavidalo ekvivalentinės grandinės schemą, rasti jos elementų parametrus. 12
- 2.3. Apskaičiuoti išėjimo srovės kintamąją dedamąją, kai kintamoji įėjimo įtampa yra 24 mV. 13
- 2.4. Rasti žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficientą, kai apkrovos varža lygi 350 . 13
- 3. Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas. 14
- 3.1. Nubraižyti lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikas, kai UDS = 8, 12, 16 V. 14
- 3.2. Apskaičiuoti lauko tranzistoriaus parametrus nurodytame darbo taške. 15
- 3.3. Sudaryti lauko tranzistoriaus ekvivalentinės grandinės schemą. 16
- 3.4. Apskaičiuoti fT, kai C11= 14 pF, C11= 8 pF 16
- 3.5. Apskaičiuoti kintamąją išėjimo srovės dedamąją, kai kintamosios įėjimo įtampos aplitudė yra 10 mV. 17
- 3.6. Rasti žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficientą, kai apkrovos varža lygi 650 . 17
- 4. Akustinės elektronikos įtaiso projektavimas 18
- 4.1. Suprojektuoti paviršinių akustinių bangų (PAB) juostinį filtrą (vėlinimo liniją). 18
- 4.2. Atlikti projektinius filtro (vėlinimo linijos) skaičiavimus, sudaryti garsolaidžio ir jungimo schemos eskizinius brėžinius, nubraižyti filtro DACH. 18
★ Klientai rekomenduoja
Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?
Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!
Norint atsisiųsti šį darbą spausk ☞ Peržiūrėti darbą mygtuką!
- Elektronikos kursinis darbas
- 23 psl., (2738 ž.)
- Word failas 1 MB
- Lygis: Universitetinis
Atsisiųsti šį kursinį darbą
Mūsų mokslo darbų bazėje yra daugybė įvairių mokslo darbų, todėl tikrai atrasi sau tinkamą!
Panašūs darbai
Privalumai
Darbo pakeitimo garantija
Atsisiuntei rašto darbą ir neradai jame reikalingos informacijos? Pakeisime jį kitu nemokamai.
Gauk 25% nuolaidą
Pirkdamas daugiau nei vieną darbą, nuo sekančių darbų gausi 25% nuolaidą.
Greitas aptarnavimas
Išsirink norimus rašto darbus ir gauk juos akimirksniu po sėkmingo apmokėjimo!
Atsiliepimai
