Molekulinės–spindulinės epitaksijos technologijos

Literatūra
1. Molekulinės – spindulinės epitaksijos technologijos
Viena iš pagrindinių GaAs heterostruktūrų auginimo technologijų yra molekulinė – spindulinė epitaksija (Molecular Beam Epitaxy – MBE). Ši technologija turi galimybę nusodinti kokybiškus puslaidininkio sluoksnius, kurių storio paklaida neviršija atomo matmenų. Be to, tipinės proceso temperatūros neleidžia vykti difuzijai. MBE technologija buvo pritaikyta ir silicio epitaksijai.
1 pav. parodyta tipinė MBE sistema. Pagrindiniai reikalavimai tokiai sistemai: labai aukštas vakuumas (ne mažiau kaip 10–10 torr.), vidinis bandinio kaitinimas ir valymas, nepriklausomai kontroliuojami terminiai ir/arba elektronų spindulių šaltiniai visoms nusodinamoms medžiagoms. Dauguma sistemų taip pat turi vidinės analizės galimybes, įskaitant elektronų difrakciją ir Augerio spektroskopiją. Kad būtų galima vakuume užgarinti įvairius metalo sluoksnius po puslaidininkio epitaksijos, dažnai naudojama atskira kamera, prijungta per ultraaukšto vakuumo pakrovimo užraktą.
Kad būtų galima pasiekti aukštą vakuumą, MBE kamera (įskaitant tarpines) turi atlaikyti temperatūrą nuo 150 iki 250 °C. Tokioje temperatūroje padidėja dujų garavimo greitis, pvz. vandens, absorbuoto vidinių kameros sienelių. Kai sistema įkaitinama ir po to ataušinama, slėgis kameroje sumažėja viena eile ar net daugiau. Šiam tikslui dažnai su sistema pateikiami specialūs šildytuvai. Dėl aukštos temperatūros turi būti kreipiamas dėmesys į vožtuvų ir kvarcinių stebėjimo langų patikimumą – šie komponentai netoleruoja dažnai pasikartojančių didelių temperatūros pokyčių. Kritiniai komponentai, tokie kaip garintuvai, gali būti laikomi ir aukštesnėje temperatūroje negu visas įrenginys, kad būtų pasiekta dar didesnė švara. Kaitinimo laikas priklauso nuo to, kiek laiko įrenginio kameros buvo atidarytos. Jei buvo atidaryta visa sistema, pvz., pakeičiant garinamos medžiagos šaltinį, paprastai reikia beveik savaitės, kad būtų sudarytas pakankamai aukštas vakuumas, reikalingas kokybiškam epitaksijos procesui.
Vakuumui palaikyti galima naudoti įvairius siurblius. Ankstyvosios sistemos naudojo difuzines pompas, bet jų panaudojimas buvo komplikuotas, nes reikėjo sustabdyti atgalinę difuziją iš įkaitusios difuzinės pompos alyvos į auginimo kamerą. Kai kurios mažos sistemos naudoja skystu azotu aušinamas adsorbcijos pompas. Šios pompos dirba fiziškai absorbuodamos dujas molekulinio filtro paviršiuje arba kitose absorbcinėse medžiagose, pvz....

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!