Elektroninių komponentų tipai ir klasifikacijos

Pagrindinės sąvokos ir apibrėžimai. Elektronika tiria ir naudoja elektronų generavimo judėjimo ir rekombinacijos reiškinius. Elektronikos mokslas tiria elektronų ir elektronų laukų ryšį. Elektroninis komponentas – įtaisas, kurio elektrinį laidumą sąlygoja elektronai ir jonai judantys vakuume ir dujose. Mikroelektronika – mokslo ir technikos sritis, aprėpianti mikrograndynų (mikroschemų) tyrimą, konstravimą, gamybą, taikymą. Mikrograndynas – mikroelektronikos gaminys, kurio komponentai ir jungiantys laidūs takeliai suformuoti vienu technologinio proceso tikslu ir sudaro nedalomą visumą. Elektrinį režimą apibūdina prie komponento išvadų prijungti šaltiniai. Šaltiniai gali būti nuolatinės arba kintamos įtampos. Jei komponentai dirba prie nuolatinės įtampos toks režimas vadinamas statiniu. Šiuo atveju nesikeičia režimo parametrai laike. Jei nors vienas parametras kinta laike, tai režimas vadinamas dinaminiu. Jei režimo parametrai kinta laike labai lėtai – režimas beveik statinis. Yra skiriami tipiniai ir leistini režimai. Tipinis – režimas, kuris atitinka šio komponento normatyvinės techninės dokumentacijos visumą. Techninėje dokumentacijoje ir žinynuose gali būti voltamperinės charakteristikos, elektrodų įtampos ir srovės, charakteristikų statumas, įėjimo ir išėjimo diferencialinės ir nuolatinės srovės varžos, įėjimo išėjimo talpos, stiprumai, ribinis dažnis, vėlavimo trukmė. Leistiną režimą apibūdina leistini parametrai: tai didžiausia leistina srovė, įtampa, tam tikro elektrodo arba viso komponento galia. Darbo režimo parametras apibūdina komponento darbą, kuris jungiamas su apkrova. Šio režimo analizei naudojama apkrovos tiesė, kuri leidžia darbo tašką ir darbinius parametrus. Elektroninių komponentų tipai ir klasifikacijos. Elektroniniai komponentai – elektrovakuuminiai ir puslaidininkiniai. Puslaidininkiai skirstomi į diskretinius komponentus ir mikrograndynus. Pagal naudojamą puslaidininkinę medžiagą klasifikuojami į Germanio, Silicio ir t.t. Pagal struktūrą: diodus, bipoliariuosius tranzistorius, tiristorius, daugiaelektrodinius mikrograndynus. Pagal galią: mažos, vidutinės, didelės. Pagal paskirtį: lygintuviniai diodai, aukštadažniai, impulsiniai, tuneliniai, stabilitronai. Pagal veikimo principą: dvikrūviai, lauko tranzistoriai. Pastarieji skirstomi pagal struktūrą: mobtranzistoriai, valdančiosios pn struktūros. Puslaidininkių komponentų fizikiniai veikimo pagrindai Elektrinis laidumas Kietų kūnų elektrinis laukas priklauso nuo laisvųjų krūvininkų skaičiaus. Elektronų skaičius normalioje būsenoje lygus protonų skaičiui branduolyje. Išorinėmis orbitomis skriejantys elektronai vadinami valentiniais. jų ryšys su branduoliu silpniausias, nes jie toliausiai. Veikiant vidiniam ar išoriniam poveikiui tik valentiniai elektronai gali atsiskirti ir tapti laisvaisiais elektronais. Laisvas elektronas juda chaotiškai. Sukurtas išorinis laukas sukelia elektros srovę. Elektronui gali būti suteiktas tam tikras diskretinis energijos kiekis. Padidėjus elektrono energijai, jis pereina į kitą orbitą. Puslaidininkių ypatybės Puslaidininkiai tai elementai ar jų junginiai, kurių specifinės varžos reikšmės yra tarp laidininkų(10-3-1012) ir izoliatorių. Puslaidininkiams priskiriami cheminiai elementai: Ge, Si, B, P, As, Sb, Te, Se. taip pat cheminiai junginiai: GaAs ir kt. Puslaidininkių tinkamumą lemia: medžiaga turi būti kietas kūnas; temperatūrų diapazone medžiaga turi turėti apibrėžtą specifinę varžą. Elektronikoje naudojami tiktai išgryninti. Todėl naudojimui paruošti puslaidininkiai yra labai brangūs. Tarp puslaidininkių ir dielektrikų nėra aiškios ribos. Žemoje temperatūroje dielektrikai ir puslaidininkiai turi mažą elektronų skaičių. Didinant temperatūrą vis daugiau valentinių elektronų atsiskiria nuo atomų ir tampa laisvaisiais. Puslaidininkių laidumas didėja o varža mažėja. Grynieji puslaidininkiai turi neigiamą temperatūrinį koeficientą, o metalai teigiamą. Metalų laidumas sietinas su dideliu laisvųjų elektronų skaičiumi. Elektronų tankis yra didelis kaip atomų skaičius vienete. 1 cm3- yra 4,5*1022 atomų, o Si-5*1022. tačiau laisvųjų elektronų žymiai mažiau negu laidininkuose. PUSLAIDININKIŲ KRISTALINĖS GARDELĖS STRUKTŪRA Silicio atomo struktūra gali tarnauti kaip pvz aiškinant puslaid savybes. Si turi 14e 3sluoksniuose. 2vidiniuose sluoksniuose el yra tvirtai surišti su branduoliu ir chem reakcijose nedalyvauja. Išorinio sluoksnio e yra silpnai surišti su branduoliu. Šie e vad valentiniais ir jie apibrėžia elemento valentingumą (Si-Li) Si ir Ge turi deimanto tipo kristal gardelės strukt. tetraedrą Kiekv Si atomas yra vienodu atstumu nutolęs nuo kitų atomų ir sujungtas dviem valentiniais ryšiais. Fizikiniam reiškiniam analizuoti yra brėžiamas plokščiasis atomo modelis. Galioja tik esant absoliutinėj temperatūroj. Kristalas, kurio atomai surišti 2 valent ryšiais – idealus kristalas. Tokie idealūs kristalai gamtoje nesutinkami. Jie kuriami spec technologojų pagalba. Si gaminti naud SiO2 PUSLAIDININKIŲ ENERGIJOS JUOSTOS DIAGRAMA Puslaidininkiuose vykstančius procesus galime paaiškinti naud kvantinę teoriją. Pagal kvantinės mechanikos dėsnius, e gali pasiekti tik tam tikrą energijos lygį, t.y jis gali įgyti apibrėžtą energijos kvantą. Visos kitos energijos būsenos uždraustos. Kiekv. puslaid e sluoksnis gali egzistuoti tik valentinėj arba laidumo energijos srityje, tarp kurių yra draudžiamoji energijos juosta. e perėjimai iš vienos energijos srities į kitą yra susieta su tam tikra apibrėžto dydžio energija. Mažiausią jonizacijos energiją turi valent e. Valent energijos srityje esantys e yra stabilioje būsenoje. e išlaisvinimui reikia suteikti apibrėžto dydžio energiją. Laisvoje būsenoje esantys e turi didž energijos lygį Esant absoliuč 0 temperatūrai T=0K, t =-273C, e yra valentinėj juostoje. Draudžiamoji juosta, kurią e turi peršokti į laidumo juostą yra vienas iš SVARBIAUSIŲ medžiagos parametrų. Draudž. Juostoje energijos reikšmių e negali turėti. Tam kad e patektų į laidumo juostą, jam turi būti suteikta papildoma energija, didesnė už draudžiamos juostos energiją. Draudž j plotis nusako medžiagos elektrines savybes. Pagal Draudž j plotį, puslaid medžiagos užima tarpinę padėtį tarp laidininkų ir dialektrikų. W=WD1eV W=WL-WV Wb – draudž j plotis Grynieji puslaidininkiai ir jų krūvininkai. Grynaisiais vadinami be priemaišų. Absoliučiojo 0 temperatūroje puslaidininkiai yra izoliatoriai. Laisvųjų elektronų nėra, nes atomų valentiniai elektronai yra kovalentiniuose ryšiuose. Kovalentinis ryšys – tai cheminis ryšys tarp atomų kai jis turi bendrą valentinių elektronų porų. Pagal energijų juostų modelį absoliutinio 0 temperatūroj visi valentiniai elektronai yra valentinėje juostoje. Visi valentinės juostos lygmenys užimti, o laidumo juosta tuščia. Kylant temperatūrai intensyvėja atomo kristalo šiluminiai virpesiai ir elektronai gali įgyti papildomos energijos. Kai valentinio elektrono energija pasidaro didesnė už kovalentinio ryšio energiją, elektronas tampa laidumo elektronu. Ten kur elektronai nutraukia kovalentinį ryšį lieka tuščia vieta ir teigiamas nesukompensuotas krūvis. Valentinis ryšys neužpildytas. Tokia būsena vadinama skyle. Skylė nagrinėjama kaip savarankiška teigiamo krūvio dalelė. Atomas praradęs elektroną įgyja skylę – tampa teigiamu jonu. Vakuojančią vietą – skylę, gali užimti gretimo atomo elektronas. Elektroną atidavęs atomas tampa teigiamu jonu. Toks valentinių elektronų judėjimas tolygus skylės judėjimui. Laisvojo elektrono ir skylės atsiradimą galima paaiškinti naudojant juostų modelį. Kovalentinio ryšio suirimą atitinka elektrono šuolis iš valentinės juostos į laidumo juostą. Si W1,12 eV, Ge W0,67eV, GaAs W1,42eV. Energijos juostų diagramoje skylę atitinka užimtas energijos lygmuo valentinėje juostoje. Mažiausia energija, kurios užtenka elektronui, kad jis išsilaisvintų iš valentinio ryšio ir tapti laisvuoju elektronu lygi draudžiamosios juostos pločiui W. Kuo siauresnė puslaidininkio dr.juosta, tuo žemesnėj temperatūroj jame atsiranda laisvųjų – laidumo elektronų. Esant tai pačiai temperatūrai, grynas Ge turi daugiau laisvųjų elektronų, yra laidesnis, o varža mažesnė. Krūvininkų generacija ir rekombinacija. Laisvųjų krūvininkų elektronų ir skylių atsiradimas yra vadinamas generacija. Generacijai sukelti reikalinga energija. Yra skiriami šie generacijos tipai:  Šiluminė generacija,  Smūginė generacija (kristalui suteikiama Wk)  Generacija lauku (panaudojant elektrinio lauko W)  Šviesos generacija ( panaudojant atomų energiją, arba spinduliuojant šviesą). Laisvųjų krūvininkų generavimui priešingas procesas – rekombinacija t.y. laisvųjų krūvininkų grįžimas į pradinę būseną. Juostų diagramoje tai atitinka WL  WV elektrono grįžimą. Laisvasis elektronas užima skylę suardytame kovalentiniame ryšyje. Laisvieji krūvininkai išnyksta. Rekombinacijos metu išsiskiria W. Rekombinacija gali būti spinduliuojamoji ir ne. Spind rekombinacijos atveju išsiskyrus W emituojama šviesos pavidalu. Nespind rekombinacijos metu išsiskyrusi W sukelia kristalinės gardelės iširimą. Rekombinacija gali vykti tarp juostų, kai elektronas peršoka iš WL į WV. Ir per rekombinacijų centrus, kurių W lygmenys yra dr.juostoje. Savasis Laidumas. Kai aplinkos temperatūra T>0 K dėl šilumos W atomo kristalinė gardelės mazgai ir juose esantys elektronai pradeda judėti apie savo ramybės padėtį. Jei kristalinei gardelei suteikta Wšil yra didesnė už Wvid, tai kai kurie elektronai nutraukia kovalentinį ryšį ir pasidaro laisvi. Kambario temperatūroje 300 K dr.juostą gali įveikti tik labai mažas skaičius elektronų, todėl grynojo puslaidininkio savybės labai artimos izoliatoriaus savybėms. Išsilaisvinę elektronai chaotiškai juda puslaidininkio kristalinėje gardelėje ir jų judėjimas neturi apibrėžtos krypties. Paveikus išoriniam laukui, laisvieji elektronai keliauja prieš lauko linijų kryptį, skylės juda išorinio pridėto lauko kryptimi ir tai atitinka elektros srovę. Elektronų dreifo greitis yra daug mažesnis už šiluminį greitį, nes elektronai atsimuša į kristalinės gardelės mazgus ir yra jų stabdomi. Srovę puslaidininkyje galima užrašyti kaip elektronų ir skylių sumą: iin+Ip krūvininkų tankiai npui , n-laidumo tankis, p-skylių tankis, ui-gryno puslaidininkio laisvųjų krūvininkų tankis. Vienodo sk elektronų ir skylių judėjimas vadinamas savuoju laidumu. n ir p gali būti apskaičiuojami naudojant Fermio ir Dirako statistiką. F ir D f-ja (pasiskirstymo) parodo tikimybę užimti elektronui tam tikrą energijos lygmenį. f(W)1/(1+e(W-WF)/kT) WF – Fermio lygmens energija, k – Bolcmano konstanta, T – absoliuti temperatūra. Šio F ir D pasiskirstymo f-jos parametras yra Fermio lygmens energija WF. Grynojo puslaidininkio krūvininkų tankis 1018 cm3. P (pozitive) – Puslaidininkis. (teigiami laisvieji krūvininkai). Į Silicio kristalinę gardelę įvedamos 3-valentės priemaišos. Pvz (B,In,Ga). Įvedus tokias priemaišas gaunamas akceptorinis lygmuo. P puslaidininkyje skylės vadinamos pagrindiniais krūvininkais, elektronai – šalutiniais. Esant 0 K temperatūrai, Fermio lygmuo yra akceptorinio lygmens viršutiniu lygmeniu. Keičiant p priemaišų tankį, fermio lygmuo keičiasi atvirkščiai nei n puslaidininkyje. Kai priemaišų skaičius didelis puslaidininkis išsigimsta ir jo savybės pasikeičia. Pertekliniai krūvininkai. Puslaidininkyje tuo pat metu vyksta 2 procesai: krūvininkų generacija ir rekombinacija. Esant tam tikrai temp krūvininkų tankiai nesikeičia, nes generacijos ir rekombinacijos greičiai yra vienodi. Šiluminiai procesai yra inertiški, todėl kintant temp šiluminiai generacijos ir rekombinacijos procesai spėja pasidaryti pusiausvyri. Jei puslaidininkį veikia išoriniai poveikiai pvz. šviesa, išorinis elektrinis laukas ir t.t. tai apibrėžtame puslaidininkio tūryje vyks intensyvi perteklinių krūvininkų generacija. Perteklinių elektronų ir skylių tankiai būna vienodi, todėl n0p0. tokie pertekliniai krūvininkai pakeis bendrą krūvininkų tankį. nn0+n0, pp0+p0. Pasibaigus išoriniam poveikiui pasidaro pusiausvyros atsistatymo procesas, todėl npn0et/p0et/.  - perteklinių krūvininkų gyvavimo trukmė. Per  perteklinių krūvininkų tankis sumažėja e kartų. Jeigu analizuojamas n tipo puslaidininkis elektronų tankis nežymiai keičiasi, o skylių tankio pasikeitimas žymus. Dydis  vadinamas šalutinių krūvininkų gyvavimo trukme, nuo  priklauso puslaidininkio komponentų veikimo sparta. Krūvininko gyvavimo trukme vadiname krūvininko buvimo būsenoje statistinį lauką. p1/rn, n1/rp. r – rekombinacijos koeficientas. Gyvavimo trukmė sąlygojama tikimybės sutikti krūvininkui priešingo ženklo krūvininką. Gyvavimo trukmė priklauso nuo rekombinacijos būdų. Rekombinacija gali būti tarp juostų, per priemaišų energinius lygmenis ir paviršinė. Tarp juostų rekombinacija vyksta – kai elektronas iš WL peršoka į WL juostą – tuomet gyvavimo metu labai didelė. Puslaidininkiuose vyraujanti rekombinacija yra paviršinė. Priemaišos sudaro energijos lygmenis, kurie yra dr.juostoje. Tokių priemaišų atomai sudaro rekombinacijos centrus. Priemaišų svarba yra didelė – kadangi įvedus priemaišų sumažėja gyvavimo trukmė. Priemaišinė rekombinacija vyksta dėl kristalinės struktūros defektų puslaidininkio paviršiuje. Krūvininkų dreifas. Jeigu neveikia išorinis elektrinis laukas, laisvieji krūvininkai juda chaotiškai. Jei puslaidininkio sukurtas elektrinis laukas šalia chaotiško atsiranda ir kryptingas judėjimas,. Elektronai juda priešinga lauko vektoriaus kryptimi, skylės juda lauko jėgų kryptimi. Tvarkingas krūvininkų judėjimas, sukeltas elektrinio lauko vadinamas krūvininkų dreifu. Krūv dreifo sukelta el srovė vad dreifo srove. Krūvininko dreifo greitis priklauso nuo elektrinio lauko stiprio. vnnE, VppE.  - krūvininkų judrumas. E – elektrinio lauko stipris. Bendru atveju q·r/m*. r – krūvininkų greičio relaksacijos trukmė, m* - elektrinė krūvininko masė. Per r – dreifo greitis sumažėja e kartų. Elektronų ir skylių judrumas nevienodas. Puslaidininkio savitasis laidumas q(nn+pp) Jeigu turime priemaišinį puslaidininkį, tai laidumą lemia pagrindiniai krūvininkai, judrumas ir tankis. Krūvininkų difuzija. Tai yra kryptingas krūvininkų judėjimas, sąlygojamas tankių skirtumo. Dėl krūv šiluminio judėjimo, krūv slenka iš srities, kurios tankis didesnis į mažesnio tankio sritį. Krūvininko difuzijos sukelta elektros srovė yra vadinama difuzijos srove. Elektros srovės difuzijos tankis yra: JnqDN·(dn/dx). DN – elektrinų difuzijos koeficientas, dn/dx – Elektronų tankių gradientas. Jp-qDP·(dp/dx). DP – skylių difuzijos koeficientas, dp/dx – skylių tankių gradientas. – ženklas todėl, kad skylių srovės vektorius nukreiptas į priešingą pusę negu tankių gradientas. DN(kT/q)·N, DP(kT/q)·P. k – Bolcmano konstanta, T – abs temp, q – krūvis,  - judrumas. Difuzijos koeficientas lemia krūvininkų difuzijos nuotolį. Krūv dif nuotolis – vidutinis kelias kurį krūvininkas nueina per krūvininko gyvavimo trukmę. LN(DN·N), LP(DP·P),  - gyvavimo trukmė, D – difuzijos koeficientas, L – nuotolis. PN Sandūra. PN sandūra sudaroma sulietus legiruotas sritis. P sritis gaunama įvedus 3 – valenčių (akceptorių) priemaišų, N – sritis gaunama įvedus 5 – valenčių priemaišų. PN gali būti staigi arba tolydi, simetrinė arba ne. Staigiojoje sandūroje priemaišų tankis kinta šuoliu, tolydžioje – palaipsniui. Simetrinės PN sandūros P srityje akceptorinių priemaišų tankis toks pat kaip donorinių priemaišų tankis N srityje. Nesimetrinėje PN sandūroje priemaišų tankiai yra skirtingi. PN sandūra be išorinės įtampos. iiD+iE0, D-difuzijos, E-dreifo. - erdvinis krūvis. E-elektrinis laukas. Susidariusiai difuzinei įtampai matuoti patogu naudoti diagramas. Braižant juostų diagramą PN dariniui Fermio lygmenys yra viename lygyje. Wb-potencialinis barjeras. Wb-qUD. UD(kT/U)·ln((NA·ND)/ni). ni-grynojo pusl priemaišų tankis. Wb bus didesnis jei draudžiamoji juosta bus didesnė. PN SANDŪRA ESANT ATVIRKŠTINEI ĮTAMPAI. Laikysime, kad pridėta įtampa, tada išorinio lauko kryptis sutampa su vidinio. Tam, kad sudaryti išorinį lauką, prie N prijungti +, o pire P – . Vykstantiems procesams PN sandūroje padėtų išsiaiškinti juostų diagrama. WB – padidėja, tai parodo, kad pagrindiniams krūvininkams pereiti PN sandūrą yra sunkiau. Atvirkštinė srovė tekės tuo puslaidininkiu, kurio šalutinių krūvininkų tankis yra didesnis. Prijungus atvirkštinę įtampą Germanio PN sandūroje tekės didesnė atvirkštinė srovė nei silicio. KAIP ĮTAMPA PRIKLAUSO NUO LAUKO STIPRUMO. Keisdami išorinę įtampą PN sandūra ir WB išaugs. Atvirkštinė įtampa nuo pridėtos įtampos nepriklausys. Šiluminis arba elektrinis pramušimai sąlygoja srovės staigų kilimą. Tekant srovei ir esant pridėtai U, galime skaičiuoti galią P. padidėjus temperatūrai, padidėja šalutiniai krūvininkai., dėl ko padidėja atvirkštinė srovė. Šiluminis pramušimas sukelia PN sandūros ugadinimą. Elektrinis pramušimas gali būti griūtinis ir tunelinis. Tunelinis pramušimas vyksta kai puslaidininkis turi didelį priemaišų tankį, tada susidaro PN siaura sandūra, tada gali elektronai iš WB pereiti tiesiai į WL. PN SANDŪRA ESANT TIESIOGINEI ĮTAMPAI. Wb – sumažėja, dėl tiesioginės pridėtos įtampos. Dėl to šalutiniai krūvininkai gali lengviau pereiti į kitą sritį. PN DARINIO VACh. VACh – PN darinio srovės priklausomybė nuo pridėtos įtampos. iI0(equ/kT - 1). U – pridėta įtampa. I0 – soties atvirkštinė srovė. I0Sq(pN0(Lp/p)+np0(Ln/n))SqnInI((1/ND)(DP/ p)+ (1/ND)(DN/N). S – sandūros plotas. NI – grynojo puslaidininkio laidumas. N – priemaišų tankis, D – difuzijos koeficientas, p – gyvavimo trukmė, L – difuzijos gylis. Ge I010-610-9, Si I010-910-14. REALIOJO PN DARINIO VACh.  Esant didesnėms įtampoms Rb – diodo bazės varža. Bazė – PN darinio sritis, kurioje mažesnis krūvininkų tankis. Ubirb. ub(kT/q)ln((i/IS)+1)+irb. PN sandūra platėja didinant atvirkštinę įtampą. Didesnėj sandūroj stebima didesnė krūvininkų regeneracija. Jei dar įtampa didinama, tai stebimas staigus srovės padidėjimas. PN SANDŪROS VARŽOS. ub(kT/q)ln((i/IS)+1), diferencialinė varža rddu/dikT/q(i+IS). kuo didesnė srovė, tuo mažesnė rd. diodo statinė varža: u,i – taško įtampa ir srovė. PN SANDŪROS TALPOS. PN darinį charakterizuoja barjerinė talpa ir diferencialinė varža. PN darinio struktūrą galima nagrinėti kaip dvi laidžias sritis, tarp kurių yra nelaidi sritis, t.y. kaip kondensatoriaus; dvi plokštelės tarp kurių dielektrikas. C(S/d)0r – plokščio kondensatoriaus talpa. S – PN sandūros plotas, d – sandūros storis, 0 - elektrinė const., r – santykinė dielektrinė varža. ud – difuzinė įtampa, ur – atvirkštinė PN sandūros įtampa, NA – akceptorinių priemaišų tankis, ND – donorinių priemaišų tankis. NNAND. PN sandūros talpa yra tiesiai proporcinga sandūros plotui S ir N, ir atvirkščiai proporcinga UK. Kuo didesnis N tuo būna siauresnė sandūra, ir didesnė talpa. Kuo didesnė UK tuo mažesnė talpa. Labai svarbi PN darinio VACh. Cf(UK). Cb1/(UK) – staigi PN sandūra. Jeigu prijungiama tiesioginė įtampa vyksta nepagrindinių krūvininkų injekcija ir pertekliniai krūvininkai sukelia perteklinius krūvius. CdQ/u(q/kT)(i+IS), Q(q/kT)(i+IS)u. Cb – barjerinė talpa, PN sandūros talpą lemia barjerinė talpa. SANDŪRŲ ATMAINOS. N+N elektrininė elektronų sandūra, N – neigiami krūvininkai, P+P skylinė skylių sandūra, NN- - mažesnio elektronų tankio sritis, PP- - mažesnio skylių tankio sritis. Metalų ir puslaidininkių sandūra, gali būti ir metalo oksido ir puslaidininkio sandūra. MOP – metalo oksido ir puslaidininkio sandūra, MOD – metalo oksido ir dielektriko sandūra. Įvairialypės arba heterogeninės sandūros, tai sandūros tarp dviejų skirtingų puslaidininkių, tai puslaidininkiai turintys skirtingas draustinės juostos pločius. MP sandūra gaunama kai visą puslaidininkį užgariname metalo sluoksniu.

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!