Elektronikos įtaisai - konspektas

1. Diodų gamybos būdai

• - pavaizduokite ir aprašykite pn sandūros gamybą įlydymo būdu (taškinis ir plokštinis diodas)

Taškinis diodas. Prie pn medžiagos priglaudžiama ir įkaitinama adata su donorinėmis arba akceptorinėmis priemaišomis. Paleidžiama galinga srovė ir adatos galas išsilydo į puslaidininkį. Priemaišiniai atomai skverbiasi į puslaidininkį aplink kontaktą susidaro p arba n sritis ir pn Sandura.

Plokštinis diodas. Į silicio lustą 600-700 laipsnių celcijaus temperatūroje įlydoma aliuminio tabletė. Aplink tabletę susidaro skylinio laidumo silicio sritis. Susidaro pn sandura.

• pavaizduokite ir aprašykite pn sandūros gamybą terminės difuzijos būdu

Difuzijos krosnyje virš elektroninio laidumo silicio paleidžiamas dujų mišinys kuriame yra boro – akceptorinės priemaišos. Kai temperatūra pasiekia reikiamą lygį, boro atomai skverbiasi į silicį. Kai akceptorių tankis viršija donorų tankį, susidaro p tipo sluoksnis, susidaro pn sandūra.

• pavaizduokite ir aprašykite pn sandūros gamybą joninio legiravimo būdu

Jonai įgreitinami ir jais yra bamborduojama p ir n tipo puslaidininkio lustas. Taip priemaišos įsiskverbia į lustą I susidaro pn sandūra.

• pavaizduokite ir aprašykite pn sandūros gamybą epitaksiniu būdu

Epitaksijos būdas – Virš silicio plokštelės praleidžiamas dujų srautas. Cheminės reakcijos metu išsiskyrę silicio atomai lieka ant padėklo paviršiaus. Tvarkingai išsidėstę ant padėklo jie sudaro sluoksnį, kuris pratęsia padėklo kristalinę gardelę. Su priemaišomis galima užauginti n, p (n- (silpnai legiruotas); n+;p- ;p+).(gaminama sluoksniuojant).

• kam reikalingas ir kaip atliekamas pn sandūros formavimas

Reikalingas mažo ploto pn sanduroms sudaryti.

Mezodariniai. N silicis- padėklas. Šiluminės priemaišų difuzijos būdu padėklo viršuje sudaromas p silicio sluoksnis. Tada puslaidininkio paviršius padengiamas SiO2 sluoksniu. Fotolitografijos būdu SiO2 sluoksnis suėsdinamas nuo dallies paviršiaus. Likęs SiO2 sluoksnis apsaugo pn sandūrą nuėsdinimo metu.

Plonarieji dariniai. Taikant plonarinę epitaksinę – difuzinę technologiją, ant n+ silicio padėklo užauginamas n- silicio sluoksnis. Paviršiuje uždedamas SiO2 sluoksnis ir jame padaroma anga, per kurią vykdoma šiluminių priemaišų difuzija, sudaroma p laidumo sritis.

• pavaizduokite ir aprašykite, kaip gaminamas Šotki kontaktas

Šotki kontaktas gali būti taškinis arba planarinis, taip pat epitaksinis meza darinys.

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!