Penki elektronikos laboratoriniai darbai

Susipažinti su puslaidininkinio diodo sandara, veikimo principu ir sudaryti voltamperinę charakteristiką.
1. Susipažinti su puslaidininkinio diodo sandara ir veikimo principu.
2. Susipažinti su puslaidininkinio diodo tyrimo schema (1 pav.).
470
3. Naudojantis programiniu paketu EWB512 sujungti 1 paveiksle pavaizduotą schemą.
4. Keičiant maitinimo šaltinio įtampą sudaryti puslaidininkinio diodo voltamperinę charakteristiką Id = f(Ud). (Maitinimo šaltinio įtampų reikšmes nurodo dėstytojas).
5. Matavimų rezultatus surašyti į 1 lentelę.
1 lentelė. Puslaidininkinio diodo tyrimo rezultatai
U, V
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,7
1,2
Id, mA
0,0001
0,000202
0,000378
0,003226
0,04926
0,3582
1,345
Ud, mV
100
199,9
299,8
398,5
476,9
531,7
568,2
U, V
2,5
4,8
8
12
17
23
32
Id, mA
4,047
8,897
15,67
24,16
34,78
47,54
66,67
Ud, mV
598,7
620,6
636,5
648,9
659,4
668,7
679
6. Naudojantis 1 lentelės duomenimis 2 paveiksle nubraižyti puslaidininkinio diodo voltamperinę charakteristiką Id = f(Ud).
7. Naudojantis voltamperine charakteristika (2 pav.) pasirinktame darbo taške apskaičiuoti puslaidininkinio diodo statinę ir diferencialinę varžas:
Ω (1)
(2)
2 pav. Puslaidininkinio diodo voltamperinė charakteristika Id = f(Ud)
1 laboratorinio darbo variantų lentelė
Varianto Nr.
Katalogas
Diodo tipas
Ra, 
1
general 2
BY228
470
2
general 2
BY396P
470
3
general 2
BY500 – 100
470
4
general 2
BYM12 – 400
470
5
general 2
BYV27 – 150
470
6
general 2
BYV28 – 50
470
7
general 2
BYW36
470
8
general 2
BYW76
470
9
general 2
D1N4001
470
10
general 2
D1N4246
470
11
general 2
D1N4936
470
12
general 2
D1N5061
470
13
general 2
D1N5396
470
14
general 2
D1N5416
470
15
general 2
D1N5616
470
Antras laboratorinis darbas
Dvipolio tranzistoriaus tyrimas
Darbo tikslas:
Susipažinti su dvipolio tranzistoriaus sandara, veikimo principu ir nustatyti pagrindines charakteristikas bendrojo emiterio jungimo schemoje.
Darbo eiga ir rezultatai:
1. Susipažinti su dvipolio tranzistoriaus sandara ir veikimo principu.
2. Susipažinti su dvipolio tranzistoriaus tyrimo schema (1 pav.).
1 pav. Dvipolio tranzistoriaus (4 variantas) tyrimo schema
4
motorol 1
BC394
3. Naudojantis programiniu paketu EWB512 sujungti 1 paveiksle pavaizduotą schemą.
4. Sudaryti dvipolio tranzistoriaus įėjimo charakteristikų šeimą Ib = f(Ube), kai Uke = const. (Bazės srovės maksimalią reikšmę nurodo dėstytojas).
5. Matavimų rezultatus surašyti į 1 lentelę.
1 lentelė. Dvipolio tranzistoriaus įėjimo charakteristikų tyrimo rezultatai
Uke = 0 V
Ube, V
0,2
0,3
0,33
0,36
0,39
0,42
Ib, μA
0,201
0,363
0,532
1,005
2,447
6,981
Ube, V
0,44
0,45
0,46
0,47
0,48
0,49
Ib, μA
14,66
21,38
31,27
45,82
67,23
98,75
1 lentelės tęsinys
Uke = 8 V
Ube, V
0,2
0,3
0,4
0,5
0,55
0,58
Ib, μA
0,2
0,3
0,402
0,596
1,217
2,706
Ube, V
0,62
0,64
0,65
0,66
0,67
0,675
Ib, μA
10,6
22,27
32,49
47,54
69,67
84,39
6. Naudojantis 1 lentelės duomenimis 2 paveiksle nubraižyti dvipolio tranzistoriaus įėjimo charakteristikų šeimą Ib = f(Ube), kai Uke = const.
2 pav. Dvipolio tranzistoriaus įėjimo charakteristikų šeima Ib = f(Ube), kai Uke = const
7. Naudojantis programiniu paketu EWB512 pakeisti įtampos šaltinį (Ebe) srovės šaltiniu (Jb).
8. Sudaryti dvipolio tranzistoriaus išėjimo charakteristikų šeimą Ik = f(Uke), kai Ib = const. (Bazės srovės...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!