Integrinių komponenčių konstrukcijų tyrimas

Darbo tikslas: Susipažinti su naudojamomis integrinėse mikroschemose komponentėmis, jų konstrukcijomis.
1 pav. npn tranzistorius
2 pav. npn tranzistoriaus pjūvis.
Didėjant kolektoriaus srovei tranzistoriaus sandūros ilgėja, didėjant dažniui mažėja bazės plotis.
Apskaičiuojame pnp tranzistoriaus matmenis esant tam pačiam darbo rėžimui.
3 pav. pnp tranzistorius
4 pav. pnp tranzistoriaus pjūvis
Dvipolių puslaidininkinių IS gamyba Ant p tipo silicio plokštelės užauginamas n tipo epitaksinis sluoksnis ir jo paviršiuje sudaromas silicio dioksido sluoksnis. Fotolitografijos būdu SiO2 sluoksnis paliekamas tik virš būsimų izoliuotų sričių. Skiriamąja boro difuzija sudaromos izoliuotos n sritys Nuėsdinamas likęs SiO2 sluoksnis. Silicio plokštelės paviršius vėl padengiamas silicio dioksido sluoksniu. Fotolitografija SiO2 sluoksnyje atidaromi langai. Pro juos į izoliuotas sritis termine priemaišų difuzija |vedama akceptorinių priemaišų — boro. Šia bazės difuzija suformuojamos sritys
Antrojoje bazės difuzijos stadijoje vykdomas terminis oksidinimas. Fo­tolitografija sudaroma nauja silicio dioksido kaukė, ir atliekama lokalinė do­norinių priemaišų - fosforo - difuzija. Šia emiterio difuzija sudaromos n+ emiterio ir kontakto su kolektoriumi sritys Tuo baigiamas dvi-polių puslaidininkinių IS pagrindinių elementų - tranzistorių — struktūrų for­mavimas puslaidininkio tūryje.
Antrojoje emiterio difuzijos stadijoje vykdomas terminis oksidinimas — plokštelės paviršius vėl padengiamas ištisiniu SiO2 sluoksniu. Fotolitografijos būdu SiO2 sluoksnyje atidaromi langai laidžių takelių kontaktams su sufor­muotais IS elementais
Plokštelės paviršius padengiamas ištisiniu aliuminio sluoksniu. Fotoli­tografijos būdu nuėsdinus dalį aliuminio sluoksnio, ant silicio dioksido lieka laidūs takeliai — puslaidininkinės IS elementų jungiamieji laidininkai Kad būtų geresnis jungiamųjų laidininkų kontaktas su puslaidininkyje su­formuotais IŠ elementais, atliekamas kontaktų įdeginimas.
Plokštelės paviršius pasyvuojamas: ant jo termochemiškai nusodinamas ištisinis SiO2 sluoksnis,. kuriame fotolitografija atidaromi langai j kristalų kon­taktines aikšteles.
Dvipolių tranzistorių gamyba
Pasyvių elementų schemos:
5 pav. Kondensatorius
6 pav. Kondensatoriaus pjūvis
. Kondensatoriaus paviršiaus plotas priklauso nuo talpos nominalo. Didėjant paviršiaus plotui didėja kondensatoriaus talpa. Pramušimo įtampa priklauso nuo dielektriko storio ir pačios dielektrinės medžiagos.
MDP kondensatoriuose vieno elektrodo vaidmenį atlieka n+ tipo emiterio sritis, kito aliuminio sluoksnis. Kaip dielektrikas naudojamas plonas silicio dioksido sluoksnis. Tokių MDP kondensatorių lyginamoji talpa 400-600 pF/mm² maksimali...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!