Puslaidininkinių diodų tyrimas, voltamperinių charakteristikų matavimas.

Priemonės: bazė KL-200, eksperimentinis modulis KL-23001, multimetras, maitinimo šaltinis.
Tikslas: išmatuoti puslaidininkinių diodų voltamperines charakteristikas.
1. Įstatykite modulį KL-23001 į universalią bandymų bazę KL-200.
2. Sujunkite schemą pagal 1 paveikslą.
3. Prijunkite įėjimo terminalą prie 12 V maitinimo šaltinio. Varžą VR2 sureguliuokite kad jos vertė būtų 10 kΩ. Keisdami įtampą pagal lentelės 1 duomenis sekite srovės stiprį ir užrašykite 1 lentelėje. Įtampos keitimui naudokite rezistorių VR2.
VF,(V)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
IF, (A)
0,1 µ
0.2µ
1.9 µ
17,1µ
46,4 µ
114,4 µ
180 µ
4. Taip pat atlikite matavimus grandinėje pavaizduotoje 1 paveiksle b dalyje, naudodami rezistoriaus VR2 vertę 10 kΩ. Keisdami įtampą pagal 2 lentelės duomenis užregistruokite srovės stiprio vertes. Duomenis surašykite į 2 lentelę.
2 lentelė
VR Reverse Voltage (V)
1V
2V
3V
4V
5V
IR Reverse Current (A)
0A
0A
0A
0A
0A
5. Naudodami lentelių 1 ir 2 duomenis nubraižykite silicio diodo voltamperinę charakteristiką.
Išvados:
Sujungėme schemą pagal 1 paveikslą, keisdami įtampą pagal lentelės 1 duomenis sekėme srovės stiprį. Naudodami lentelių 1 ir...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!