Plonasluoksnių struktūrų topologijos formavimas kontaktinės optinės litografijos būdu

Miliauskas Arūnas IF-5/1 gr.
Data: 2005 m. spalis 20d.
Dėstytoja: A.Gudonytė
1. Darbo užduotis: Susipažinti su kontaktinės optinės litografijos technologiniu procesu. Vienasluoksnės topologijos suformavimas ant Si plokštelės fotolitografijos būdu.
2. Teorinė dalis: Taikant planariąją technologiją, puslaidininkis terminės priemaišų difuzijos arba jonų implantavimo būdu lokaliai legiruojamas per ekranuojančios kaukės angas. Silicio dioksido ar kitos ekranuojančios medžiagos kaukė puslaidininkės plokštelės paviršiuje sudaroma litografijos būdu. Litografijos būdu taip pat sudaroma reikiama laidaus sluoksnio konfigūracija. Kartais litografija dar taikoma selektyviam silicio ėsdinimui.
Puslaidininkinių integrinių grandynų gamyboje naufojami įvairūs litografijos būdai: fotolitografija, elektronų pluošto, rentgeno spindulių litografija. Kai mikrograndynų integravimo laipsnis nėra labai didelis, taikoma fotoitografija – procesas, kurio metu, panaudojant šviesai jautrias chemines medžiagas ir fotošablonus, ant plokštelės paviršiaus formuojami schemos elementai. Gaminant mikroschemas, jų elementai kristale išdėstomi tam tikrose vietose ir sujungiami. Kiekviena mikroscema turi savitą elementų išdėstymą taip vadinamą topologiją. Technologinai procesai turi būti lokalizuoti, atliekami tik tam tikrose vietose. Tai ir atliekama fotolitografijomis.
3. Darbo metodika ir aparatūra.
Gaminant integrines schemas, jų elementai kristale (plokštelėse) išdėstomi tam tikrose vietose ir atitinkamai sujungiami. Kiekviena mikroschema turi savitą elementų išdėstymą, arba vadinamąją topologiją. Taigi technologiniai procesai turi būti lokalizuoti, atliekami tik tam tikrose vietose. Labiausiai paplitęs integrinių shemų elementų konfigūracijos gavimo būdas yra fotolitografija.
Norint suformuoti piešinį plokštelės paviršiuje, naudojami sudėtingi technologiniai įrenginiai ir cheminės medžiagos:
◦ fotorezisto užnešimo centrifuga „DYNAPERT PRECIMA“;
◦ IR spindulių konvejerinė džiovinimo linija „LADA“ su trimis skirtingais temperatūriniais diapozonais;
◦ Kontaktinės fotolitografijos tapdinimo ir eksponavimo įrenginys „KARL ZEISS“ firmos (UV lempos bangos ilgis λ = 365 nm, intensyvumas yra 20000 liuksų).
Visi cheminiai procesai atliekami traukos spintose.
Šiame technologiniame procese naudojamos cheminės medžiagos:
• FR- 383 pozityvusis fotorezistas;
• įvairių koncentracijų kalio šarmo (KOH) ryškalas;
• aliuminio ėsdiklis- tai vandeninis chromo anhidrido ir amonio fluorido tirpalas;
• nuo paviršiaus rezistas šalinamas dimetilformamidu, o jo mikrolikučiai- plazmocheminiu valymu;
• praplovimams naudojamas A...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!