Plonasluoksnės hibridinės mikroschemos projektavimas

Įvadas. Šiame darbe yra pateikta plonasluoksnių rezistorių ir plonasluoksnių kondensatorių parametrų skaičiavimai plonasluoksnės hibridinės mikroschemos projektavimui. Taip pat yra įdėti panaudotų mikroshemos projektavime rezistorių, kondensatorių, diodų, tranzistoriaus topologiniai brėžiniai ir suprojektuotos mikroschemos eskizas.
Užduotis. Suprojektuoti duotą plonasluoksnę hibridinę mikroschemą. Užduoties principinė schema pateikta 1 pav. 1, 1 ir 2 lentelėse patikti elementų parametrai.
1 pav. užduoties principinė schema.
R,
2200
1000
1500
200
120
,%
±10
±20
±20
±10
±5
P, mW
20
20
5
50
10
2 lentelė, kondensatoriai
C2
C5
C,pF
500
10000
,%
±10
±10
U,V
5
15
1. Plonasluoksnių rezistorių skaičiavimas.
Stačiakampio ir meandro formų rezistoriai pavaizduoti 2 ir 3 pav. Raudona linija parodytas lvid.
2 pav. Stačiakampio formos plonasluoksnis rezistorius.
3 pav. Meandro formos plonasluoksnis rezistorius.
Skaičiavimo etapai:
1.1 Parenkama rezistyvinė (imamas chromas GOST 5905-67). Medžiagos charakteristikos reikalingos skaičiavimams pateiktos 3 lentelėje. P0 yra rezistyvinio sluoksnio lyginamoji išskaidoma galia, αR - sluoksnio varžos temperatūrinis koeficientas, RKV - sluoksnio kvadrato varža, - sluoksnio stabilumas.
3 lentelė
RKV, Ω/KV
αR · 10-4, 1/°C
P0 , mW/mm2
, %
250
1
10
2
1.2 Apskaičiuojamas plonasluoksnio rezistoriaus formos koeficientas KF pagal 1.1 formulę.
(1.1)
R1 rezistorius:
; KF ≤ 10, tai rezistorius stačiakampio formos;
R2 rezistorius:
Kadanagi KF > 10, tai rezistorius stačiakampio formos;
R3 rezistorius:
Kadanagi KF > 10, tai rezistorius stačiakampio formos;
R4 rezistorius:
Kadangi KF ≤ 10, tai rezistorius stačiakampio formos;
R5 rezistorius:
Kadangi KF ≤ 10, tai rezistorius stačiakampio formos.
1.3 Apskaičiuojamas santykinis varžos pokytis pagal 1.2 formulę, esant didžiausiai mikrograndyno darbo temperatūrai.
(1.2)
.
1.4 Randama maksimali leistinoji formos koeficiento santykinė paklaida pagal 1.3 formulę. Čia yra reikalinga panaudoti rezistyvinės plėvelės kvadrato varžos santykinę paklaida . Paimu 6 %.
(1.3)
R1 rezistoriui:
;
R2 rezistoriui:
;
R3 rezistoriui:
;
R4 rezistoriui:
;
R5 rezistoriui:
.
R1, R2 ir R4 rezistoriams reiks taikyti padidinto tikslumo skaičiavimo metodiką, nes yra neigiamas.
1.5 Atsižvelgus į nustatytą tikslumą, randamas rezistyvinio sluoksnio plotis pagal 1.4 formulę.
Rezistoriaus pločio absoliutinė paklaida Δb = (20 – 40μm). Paimu 30 μm.
(1.4)
R3 rezistoriui:
;
R5 rezistoriui:
.
1.6 Atsižvelgus į nustatytą galią, randamas rezistyvinio sluoksnio plotis pagal 1.5 formulę.
(1.5)
R3 rezistoriui: R5 rezistoriui:
bp = 0.17mm; bp = 0.42mm.
1.7 Atsižvelgus į gamybos technologijos galimybes, parenkamas rezistyvinio sluoksnio plotis pagal 1.6 sąlygą.
(1.6)
R3 rezistoriui b = 0.2mm;
R5 rezistoriui b = 0.5mm.
1.8 Nustatomas plonasluoksnio rezistoriaus ilgis l ir...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!