Multivibratoriai

KAUNO TECHNOLOGIJOS UNIVERSITETAS Referatas Multivibratoriai KAUNAS 2005 Turinys 1. Bendros žinios. 2. Kolektoriaus-bazės ryšio multivibratoriai. 3. Emiterių ryšio multivibratoriai. 4. Tranzistorinių simetrinių multivibratorių schemos. 5. Nesimetriniai tranzistoriniai multivibratoriai. 6. Naudota literatūra. 1. Bendros žinios. Multivibratoriais vadinami relaksatoriai, sudaryti iš dviejų lempinių ar tranzistorinių stiprintuvų, sujungtų teigiamo grįžtamojo ryšio grandinėmis. Multivibratorių schemos skiriasi nuo trigerių schemų tuo, kad vietoj vienos ar dviejų rezistorinio ryšio grandinių multivibratoriuose naudojamos kondensatorinio-rezistorinio ryšio grandinės. Todėl multivibratoriai gali būti vienos arba dviejų kvazistabilių (tariamai, laikinai stabilių) būsenų. Jų trukmę lemia relaksacijos procesai, t.y. kondensatoriaus, įjungto teigiamo grįžtamojo ryšio grandinėje, įsikrovimo procesas. Kondensatorius įsikrauna lėtai, lyginant su lavininiu pereinamuoju procesu, kurio metu abiem stiprintuvams dirbant stiprinimo režimu, išpildoma regeneracijos sąlyga. Pereinamieji procesai, kurių metu formuojami šuoliniai įtampos ir srovės signalai, trigeriuose ir multivibratoriuose yra analogiški. Multivibratoriai plačiai naudojami beveik stačiakampiams palyginti didelės trukmės (nuo kelių mikrosekundžių iki dešimčių sekundžių) impulsams formuoti, tolygiai reguliuojamam impulsų vėlinimui gauti, impulsų pasikartojimo dažnumui dalyti ir t.t. Lempiniai ir tranzistoriniai multivibratoriai pagal veikimo principą ir schemų struktūrą yra panašūs. Atskirais atvejais galima visiška schemų analogija. Tačiau yra ir esminių schemų sudarymo ir veikimo principo skirtumų. Skirtingai nuo lempų tranzistorių atidarymo įtampa artima nuliui. Kad tranzistoriaus atidarymo momentas būtų tiksliau fiksuojamas, įtampos kitimo greitis atidarymo metu turi būti kiek galint didesnis. Todėl kintanti uždaro tranzistoriaus bazės įtampa turi artėti ne prie nulio, bet prie priešingo ženklo įtampos. Dėl šios priežasties visuose tranzistoriniuose multivibratoriuose (taip pat ir blokinggeneratoriuose) bazės grandinių maitinimo įtampos nebūna lygios arba artimos nuliui. Visas tranzistorinių multivibratorių schemas, išskyrus multivibratorius su skirtingo laidumo tranzistoriais, pagal stiprintuvo laipsnių jungimo schemas galima suskirstyti į dvi grupes. Tai simetriniai ir nesimetriniai multivibratoriai. Simetriniai multivibratoriai sudaryti iš dviejų bendro emiterio stiprintuvo laipsnių, o nesimetriniai — iš bendros bazės ir bendro kolektoriaus stiprintuvo laipsnių. Simetriniuose multivibratoriuose formuojamų impulsų ir pauzių trukmes, kurios būna tos pačios eilės, lemia bazės grandinės parametrai. Nesimetriniuose multivibratoriuose impulsų ir pauzių trukmes lemia emiterio grandinės parametrai. Šie multivibratoriai, panašiai kaip ir blokinggeneratoriai, formuoja palyginti trumpus impulsus, kurių retumo koeficientas yra didelis. Suformuotų impulsų trukmė gali būti mažesnė už tranzistoriaus laiko konstantą τβ≈βτα, čia β — bendro emiterio schemos tranzistoriaus srovės stiprinimo koeficientas ir τα — šalutinių krūvio nešėjų gyvavimo laiko konstanta bazėje. Impulsų retumo koeficientas nuo kelių vienetų gali siekti iki kelių šimtų. 2. Kolektoriaus-bazės ryšio multivibratoriai. Yra dvi pagrindinės kolektoriaus-bazės ryšio multivibratorių schemos. Viena jų dirba laukimo režimu, antroji - autogeneravimo. Šių multivibratorių analizės bei pagrindinių schemos elementų parinkimo metodika taikytina ir kitoms kolektoriaus-bazės ryšio multivibratorių schemoms. Paprastumo dėlei tarkime, kad multivibratoriaus schemos abiejų tranzistorių parametrai yra vienodi, be to, įsotinto tranzistoriaus kolektoriaus-emiterio ir bazės-emiterio įtampos artimos nuliui. Laukimo režimas. Laukiantis kolektoriaus-bazės ryšio multivibratorius (1 pav.) sudarytas iš dviejų jungiklių, kurie tarpusavyje sujungti teigiamo grįžtamojo ryšio grandinėmis. Viena ryšio grandinė sudaryta iš kondensatoriaus C2 ir rezistoriaus Rb2, o antra — panašiai kaip trigeryje — iš rezistorinio daliklio R1Rb1, kurio vienas rezistorius (R1) šuntuotas pereinamuosius procesus trumpinančiu kondensatoriumi C1. Multivibratorius maitinamas iš dviejų šaltinių Ek ir Eb, kurių įtampos priešingų ženklų. 1 pav. Kolektoriaus-bazės ryšio laukiantis multivibratorius Laukiantis multivibratorius gali būti vienoje stabilioje būsenoje, kurios metu turi būti patenkinta tranzistoriaus T1 uždarymo ir tranzistoriaus T2 įsotinimo sąlygos. Uždaro tranzistoriaus T1 bazės įtampa Ub1u p-n-p tipo tranzistoriams turi būti teigiama: Ši sąlyga bus patenkinta, jei čia Ik0max – maksimali uždaro tranzistoriaus T1 atbulinė kolektoriaus srovė, tekanti bazės grandine. Kad tranzistorius T2 būtų įsotintas, jo bazės srovė , padauginta iš srovės stiprinimo koeficiento β, turi būti didesnė už kolektoriaus soties srovę ; Uždaro tranzistoriaus T1 kolektoriaus įtampa Kondensatoriaus C2 įtampa Laukiantis multivibratorius paleidžiamas kaip atskiro paleidimo trigeris. Laiko momentu t0 (2 pav.) padavus paleidimo impulsą epal, multivibratorius iš stabilios būsenos pereina į kvazistabilią. Esant išpildytai regeneracijos sąlygai, pereinamasis procesas vystosi laviniškai ir pasibaigia tranzistoriaus T2 uždarymu ir tranzistoriaus T1 įsotinimu. Šis pereinamasis procesas vyksta taip pat, kaip ir trigeryje, o tranzistoriaus T2 kolektoriuje suformuoto impulso frontų trukmė randama iš formulės. Padavus paleidimo impulsą, atsidaro tranzistorius T1 ir jo kolektoriuje gaunamas teigiamas įtampos šuolis nuo reikšmės Uk1u, artimos šaltinio Ek įtampai, iki įsotinto tranzistoriaus kolektoriaus įtampos, artimos nuliui. To paties tranzistoriaus bazės įtampa pakeičia ženklą ir pasidaro neigiama. Jei laikysime, kad kondensatoriaus C2 įtampa, pereinamojo proceso metu formuojant priekinį frontą, nespėja pasikeisti, tai, šuoliu pasikeitus kolektoriaus įtampai uk1, šuoliu pasikeis ir tranzistoriaus T2 bazės įtampa ub2. Tuomet kvazistabilios būsenos pradžioje uždaro tranzistoriaus T2 bazės įtampa Užsidarius tranzistoriui T2, jo kolektoriaus įtampa ir jei Jei tokia kvazistabili būsena tęstųsi kiek norint ilgai, tia nusistovėjusi įsikrovusio kondensatoriaus C2 įtampa būtų t.y. uždaro tranzistoriaus T2 bazės srovė Ib0≈-Ik0 rezistoriuje Rb2 sukurtų įtampos kritimą Ik0Rb2, kuris prisidėtų prie šaltinio Ek įtampos. 2 pav. Kolektoriaus-bazės ryšio laukiančio multivibratoriaus impulsų diagramos Įsikraunant kondensatoriui C2, tranzistoriaus T2 bazės įtampa ub2=-uc2 artėja prie reikšmės Šis kondensatoriaus C2 įsikrovimo procesas vyksta tol, kol tranzistoriaus T2 bazės įtampa yra teigiama, t.y. tol, kol tranzistorius yra uždarytas. Laiko momentu t1 bazės įtampa ub2(t1)=0 ir tranzistorius T2 atsidaro, tuo pačiu kvazistabili būsena pasibaigia. Kvazistabilios būsenos metu turi būti išpildyta tranzistoriaus T1 įsotinimo sąlyga βib1>ik1; čia ib1 ir ik1 - tranzistoriaus bazės ir kolektoriaus srovės. Srovė ib1 susideda iš dviejų dedamųjų. Tai šaltinio Ek varoma srovė, įsotinanti tranzistorių, ir priešingo ženklo šaltinio Eb varoma srovė Kolektoriaus srovė ik1 susideda taip pat iš dviejų dedamųjų. Tai srovė , tekanti rezistoriumi Rk1, ir kondensatoriaus C2 įsikrovimo srovė. Pastaroji srovė kvazistabilios būsenos pradžioje yra maksimali: Ji gaunama, laikant, kad kondensatoriaus C2 įsikrovimo srovė teka tik rezistoriumi Rb2 (tranzistoriaus T2 bazės grandinė uždaryta). Pradiniu kvazistabilios būsenos momentu vienas rezistoriaus Rb2 galas turi šaltinio -Ek potencialą, antrasis — pradinę tranzistoriaus T2 bazės įtampą Ub2(0)≈ +Ek. Vadinasi, bendroji įtampa, krintanti rezistoriuje Rb2, lygi 2 Ek, tuo pačiu ir srovė ic2max randama iš išraiškos. Įrašius šias reikšmes į išraiška, visam kvazistabilios būsenos laikotarpiui gaunama tranzistoriaus T1 įsotinimo sąlyga: gaunama paprastesnė įsotinimo sąlyga Laiko momentu t1 įtampa ub2 = 0 ir tranzistorius T2 atsidaro. Stiprėjant tranzistoriaus T2 kolektoriaus srovei, jo įtampa mažėja, tuo pačiu mažėja ir tranzistoriaus T1 bazės srovė. Išėjus tranzistoriui T1 iš soties režimo, veikiant teigiamam grįžtamajam ryšiui, vyksta lavininis tranzistoriaus T1 uždarymo ir tranzistoriaus T2 atidarymo ir įsotinimo procesas. Panašiai kaip ir trigeryje, tranzistoriaus T2 kolektoriaus srovė per trumpą laiko tarpą (lygų keliems τα) pasiekia soties srovę, o kolektoriaus soties įtampa sumažėja beveik iki nulio. Užsidarius tranzistoriui T1, prasideda nusistovėjimo stadija. Jos metu kondensatoriai C1 ir C2 įsikrauna iki pradinių reikšmių. Kondensatorius C2 įsikrauna grandine Ek, Rk1, C2 ir per nedidelę įsotinto tranzistoriaus T2 bazės-emiterio varžą. Pradiniu momentu, tekant stipriausiai tranzistoriaus T2 bazės srovei, įtampos reikšmė yra didžiausia neigiama. Įsikrovimo metu tranzistoriaus T1 kolektoriaus įtampa eksponentiškai artėja prie reikšmės Uk1u=-Ek+Ik0Rk1. Kondensatorius C1, panašiai kaip trigeryje įsikrauna per lygiagrečiai (jo atžvilgiu) sujungtus rezistorius R1, Rb1. Kondensatoriaus C2 įsikrovimo grandinės laiko konstanta o kondensatoriaus C1 – Paprastai τ2>τ1, ir todėl kondensatoriaus C2 įsikrovimo laikas lemia nusistovėjimo stadijos trukmę Tranzistoriaus T1 kolektoriuje suformuoto impulso amplitudė o tranzistoriaus T2 suformuoto impulso amplitudė Suformuoto impulso trukmę, nevertinant frontų trukmės ir tranzistoriaus išėjimo iš soties režimo trukmės, lemia kvazistabilios būsenos trukmė, t.y. laikotarpis, kurio metu įsikraunant kondensatoriui C2, tranzistoriaus T2 bazės įtampa yra teigiama. Suformuoto impulso trukmė čia Ub2(0) – pradinė ir Ub2(œ) – nusistovėjusi tranzistoriaus T2 bazės įtampos reikšmės; Ub2(t1)=0. Suformuoto impulso trukmę galima reguliuoti, keičiant: a) laiko konstantą Rb2C2. Kondensatoriaus C2 talpumas paprastai keičiamas diskretiškai, prijungiant ar atjungiant papildomus kondensatorius. Vietoj rezistoriaus Rb2 įjungus potenciometrą, impulso trukmę galima būtų reguliuoti tolygiai. Tačiau plačiose ribose kintant Rb2 varžai, keičiasi ir tranzistoriaus T2 įsotinimo laipsnis, išėjimo iš soties būsenos trukmė, tuo pačiu mažėja suformuoto impulso trukmės stabilumas; b) įtampos Ub2 (oo) reikšmę. Pavyzdžiui, rezistorių Rb2 galima jungti ne prie šaltinio Ek, bet prie įtampos daliklio, įjungto tarp žemės ir šaltinio Ek. Šiuo atveju taip pat kinta ir tranzistoriaus T2 įsotinimo laipsnis; c) pradinio įtampos šuolio tranzistoriaus T2 bazėje amplitudę Ub2(0), t.y. vietoj rezistoriaus Rk1 reikia įjungti potenciometrą, kurio vidurinysis taškas prijungiamas prie kondensatoriaus C2. Suformuoto impulso trukmė priklauso nuo aplinkos temperatūros kitimo, nes keičiasi uždaro tranzistoriaus atbulinė kolektoriaus srovė Ik0. Autogeneravimo režimas. Kolektoriaus-bazės ryšio multivibratorius, dirbdamas autogeneravimo režimu (3 pav.), gali būti dviejose kvazistabiliose būsenose: vienoje iš jų tranzistorius T1 uždarytas ir T2 įsotintas, antroje — priešingai, T1 įsotintas, o T2 uždarytas. 3 pav. Kolektoriaus-bazės ryšio multivibratorius Veikiant teigiamam grįžtamajam ryšiui ir esant išpildytai regeneracijos sąlygai, iš vienos kvazistabilios būsenos į kitą multivibratorius pereina laviniškai. Laikotarpiu t1 kvazistabilios būsenos metu, įsikraunant kondensatoriui C1 grandine Ek, Rb1, C1, įsotinto tranzistoriaus T2 kolektorius-emiteris, tranzistoriaus T1 bazės įtampa ub1 eksponentiškai mažėja (4 pav.). Kai ub1 pasiekia nulį, atsidaro tranzistorius T1; stiprėjanti jo srovė sukelia teigiamą įtampos šuolį kolektoriuje, kuris per kondensatorių C2 patenka į T2 bazę. Tranzistoriui T2 nustojus dirbti soties režimu, pradeda veikti teigiamas grįžtamasis ryšys. Lavininis pereinamasis procesas baigiasi tranzistoriaus T2 uždarymu ir T1 įsotinimu. Tranzistorius pereina į antrąją kvazistabilią būseną. Teigiamas T1 kolektoriaus įtampos šuolis per kondensatorių C2 pradiniu momentu palaiko didelę tranzistoriaus T2 bazės įtampą ub2. Dabar, laikotarpiu T2 įsikraunant kondensatoriui C2 grandine Ek, Rb2, C2, įsotinto tranzistoriaus T1 kolektorius-emiteris, eksponentiškai mažėja tranzistoriaus T2 bazės įtampa ub2. Kai ub2 pasidaro lygi nuliui, atsidaro tranzistorius T2; stiprėjanti jo srovė sukelia teigiamą įtampos šuolį kolektoriuje, kuris per kondensatorių C1 patenka į tranzistoriaus T1 bazę. Tranzistoriui T1 nustojus dirbti soties režimu, vėl pradeda veikti teigiamas grįžtamasis ryšys. Lavininis pereinamasis procesas baigiasi tranzistoriaus T1 uždarymu ir T2 įsotinimu. Taigi, multivibratoriui grįžus į pirmąją kvazistabilią būseną, vėl viskas kartojasi iš naujo. Pirmosios kvazistabilios būsenos metu (laikotarpis t1) įsikrauna ne tik kondensatorius C1 bet ir kondensatorius C2 grandine Ek, Rk1, C2 įsotinto tranzistoriaus T2 bazė-emiteris. Tuo metu uždaro tranzistoriaus T1 kolektoriaus įtampa uk1 eksponentiškai artėja prie nusistovėjusios reikšmės su laiko konstanta, maždaug lygia Rk1C2. Analogiškai antrosios kvazistabilios būsenos metu (laikotarpiu t2) eksponentiškai kinta ir tranzistoriaus T2 kolektoriaus įtampa su laiko konstanta Rk2C1. 4 pav. Autogeneravimu dirbančio kolektoriaus-bazės ryšio multivibratoriaus impulsų diagramos Multivibratorių schemos. Siekiant sutrumpinti formuojamų impulsų frontų trukmes arba padidinti impulsų pasikartojimo dažnumą, multivibratoriuose kartais naudojami dreifiniai tranzistoriai. Tačiau šių tranzistorių žema bazės-emiterio sandūros pramušimo įtampa: Ubemax = 1-1,5 V. Multivibratoriui dirbant laukimo arba autogeneravimo režimu, įsotinto tranzistoriaus T1 kolektoriaus teigiamas įtampos šuolis patenka į T2 bazę. Šuolio amplitudė maždaug lygi kolektoriaus grandinės maitinimo šaltinio įtampai Ek, kuri kartais siekia keliolika voltų. Vadinasi, Ek > Ubemax ir, pramušus bazės-emiterio sandūrą, kondensatoriaus C2, tuo pačiu ir tranzistoriaus T2 bazės įtampa labai greitai sumažėja iki pramušimo įtampos Upr. Atsistačius p-n sandūrai, kondensatorius C2 toliau įsikrauna aukščiau minėta grandine. Skaičiuojant multivibratoriumi su dreifiniais tranzistoriais suformuotų impulsų trukmes, vietoj pradinės uždaro tranzistoriaus bazės įtampos, maždaug lygios Ek, reikia rašyti pramušimo įtampą Upr. Laukiančiu multivibratoriumi suformuoto impulso trukmė Kad bazės emiterio sandūra nebūtų pramušinejama, multivibratorių su dreifiniais tranzistoriais bazės grandinėse įjungiami diodai (5 pav.). Tuo atveju reikalingas papildomas nedidelis įtampos šaltinis Eb t1) įsikraunant kondensatoriui C, nusistovi tranzistorių elektrodų įtampos, ir schema grįžta į vienintelę stabilią būseną. 4. Tranzistorinių simetrinių multivibratorių schemos. Automatinio priešįtampio laukiančiam multivibrator (11 pav.) reikia tik vieno maitinimo įtampos šaltinio. Pradinėje padėtyje tranzistorius T2 yra įsotintas, nes bazės grandinės rėzistorius Rb2 prijungtas prie šaltinio –Ek. Tranzistorius T1 uždarytas automatinio priešįtampio rezistoriuje Re krintančia įtampa Ue0≈ Ek . Įtampa Ue0 paprastai būna mažesnė už l V, o tokios įtampos pakanka tranzistoriui uždaryti. Formuojant impulsą, didelio talpumo kondensatorius Ce palaiko pastovią priešįtampio grandinės įtampą. Toks multivibratorius veikia kaip anksčiau išnagrinėtieji, taip pat parenkami ir jo parametrai. 11 pav. Automatinio priešįtampio laukiantis multivibratorius Tiesioginio ryšio laukiančiam multivibratoriui (12 pav.) taip pat reikia tik vieno maitinimo įtampos šaltinio. Pradinėje padėtyje tranzistorius T2 yra įsotintas, o T1 — uždarytas. Šio tranzistoriaus bazės įtampa lygi tranzistoriaus T2 kolektoriaus įtampai, kuri artima nuliui. Tranzistorius T3 — pagalbinis, skirtas multivibratoriui paleisti. 12 pav. Tiesioginio ryšio laukiantis multivibratorius Aukščiau buvo minėta, kad autogeneravimo režimu dirbančius multivibratorius, kurių tranzistorių įsotinimo koeficientas didesnis kaip 2, prijungus prie maitinimo įtampos, autogeneravimo procesas gali neprasidėti. Tam, kad tranzistoriai neįsisotintų, multivibratoriaus schemoje galima naudoti neįsotinto jungiklio laipsnius, turinčius netiesinį neigiamą grįžtamąjį ryšį (diodai D1, D2, D3 ir D4, D5, D6) (13 pav.). Šiuo atveju, prijungus maitinimo įtampą, papildomo signalo, sužadinančio multivibratorių, nebereikia - jis pats pradeda dirbti autogeneravimo režimu. 13 pav. Multivibratorius su neįsotinto jungiklio laipsniais Multivibratorius gali būti sudarytas iš kondensatoriaus ir emiterių ryšio trigerio (14 pav.). Prijungus maitinimo įtampą, tranzistorius T1 bus uždarytas, nes kondensatoriaus C0 įtampa pradiniu momentu artima nuliui. Įsikraunant kondensatoriui per rezistorių R0, jo įtampa eksponentiškai didėja, kol pasiekiama trigerio perjungimo įtampa. Atsidarius tranzistoriui T1, kondensatorius iškraunamas jo bazės srove. Išsikrovimo procesas tęsiasi tol, kol, sumažėjus kondensatoriaus įtampai, pasiekiama trigerio perjungimo įtampa. Tranzistorius T3 užsidaro, ir kondensatorius C0 pradeda vėl įsikrauti. Tokiu multivibrariumi formuojami impulsai, pasižymintieji dideliu retumo koeficientu. Be to, impulsų, suformuotų tranzistoriaus T2 kolektoriuje forma artima stačiakampei. 14 pav. Multivibratorius, sudarytas iš kondensatoriaus ir emiterių ryšio trigerio Multivibratorių, dirbantį autogeneravimo režimu, kartais reikia sustabdyti tam tikram laiko intervalui. Tam tikslui galima naudoti tranzistorinį jungiklį, pakeičiantį schemos darbo režimą. Priklausomai nuo valdymo signalo evald lygio, tranzistorius T3 (15 pav.) sujungia T1 emiterį su žeme arba nutraukia jo grandinę. Pirmuoju atveju multivibratorius dirba autogeneravimo režimu, antruoju atveju — impulsų neformuoja. 15 pav. Valdomas kolektoriaus-bazės ryšio multivibratorius Kai reikia taupyti maitinimo šaltinių energiją, galima naudoti multivibratorius su skirtingo laidumo tranzistoriais (16 pav.). Esant laukimo režimui, abu tranzistoriai uždaryti ir kondensatorius C iškrovęs iki įtampos –E2. Padavus paleidimo impulsą, tranzistorius T2 atsidaro, jo kolektoriaus srovė sukuria rezistoriuje Rk neigiamą įtampos kritimą, kuris atidaro tranzistorių T1. Pradeda veikti teigiamas grįžtamasis ryšys ir, baigiantis lavininiam pereinamajam procesui, abu tranzistoriai įsisotina. Kvazistabilios būsenos metu kondensatorius C išsikrauna per lygiagrečiai sujungtus rezistorius Re2, Rk2, Rk1, Re1. Išėjus tranzistoriams iš soties režimo, vėl vyksta lavininis pereinamasis procesas, ir abu tranzistoriai užsidaro. Pasibaigus nusistovėjimo stadijai, kurios metu visiškai įsikrauna kondensatorius C per rezistorių Re2, multivibratorius grįžta į pradinę padėtį. Tokie multivibratoriai ekonomiški, mažai suvartojama maitinimo šaltinių energijos, jei impulsų retumo koeficientas didelis. Juos tikslinga gaminti integraliniu būdu. Pagrindinis multivibratoriaus su skirtingo laidumo tranzistoriais trūkumas tas, kad jam maitinti reikia trijų įtampos šaltinių. Kartais, esant žemam triukšmų lygiui, šaltinio E3 įtampa gali būti lygi nuliui. 16 pav. Laukiantis multivibratorius su skirtingo laidumo tranzistoriais Panaudojant multivibratoriui lauko tranzistorius, galima formuoti plačiame diapazone reguliuojamos trukmės impulsus. Tokių tranzistorių didelė įėjimo varža, ir todėl multivibratoriaus elementų C ir R parametrus (17 pav.) galima keisti plačiose ribose. Maksimali tokiomis schemomis suformuotų impulsų trukmė gali siekti minutes, valandas. 17 pav. Multivibratorius su lauko tranzistoriais Daugiakanalėse informacijos apdorojimo sistemose dažnai naudojami daugiafaziai multivibratoriai. Panašiai kaip ir įprasti (dvifaziai) multivibratoriai, jie gali dirbti laukimo, autogeneravimo, sinchronizavimo arba dažnumo dalijimo režimu. Daugiafazis (n-fazis) multivibratorius (18 pav.) sudarytas dvifazio emiterių ryšio multivibratoriaus principu. Tačiau šiuo atveju stiprintuvo laipsnių, tarpusavyje nuosekliai sujungtų teigiamo grįžtamojo ryšio grandinėmis, yra ne du, bet n. 18 pav. Daugiafazis multivibratorius Daugiafazio multivibratoriaus laukimo režimą galima sudaryti, laikant papildoma grandine atidarytą vieną tranzistorių. Tą tranzistorių uždarius paleidimo impulsu, n-fazis multivibratorius suformuoja n impulsų, ir, pasibaigus paskutinio tranzistoriaus nusistovėjimo stadijai, grįžta į pradinę būseną. Tokie daugiafaziai multivibratoriai mažai vartoja maitinimo šaltinio energijos, jais suformuotų impulsų trukmės gali siekti nuo dešimčių nanosekundžių iki dešimčių sekundžių. 5. Nesimetriniai tranzistoriniai multivibratoriai. Šie multivibratoriai sudaryti iš dviejų skirtingų stiprintuvo laipsnių: vienas - bendros bazės ir antras - bendro kolektoriaus. Nesimetriniai multivibratoriai gali dirbti laukimo, autogeneravimo ir sinchronizavimo arba dažnumo dalijimo režimu. Nesimetrinio multivibratoriaus suformuotų impulsų trukmes lemia emiterių grandinėje įjungto kondensatoriaus C įsikrovimo procesai. Tokie multivibratoriai gali formuoti palyginti trumpus impulsus (keletos dešimtųjų mikrosekundžių eilės), kurių retumo koeficientas yra didelis. Nesimetriniam multivibratoriui, dirbančiam autogeneravimo režimu, maitinti reikia dviejų priešingo ženklo maitinimo šaltinių (19 pav.). 19 pav. Nesimetrinis tranzistorinis multivibratorius 20 pav. Nesimetrinio tranzistorinio multivibratoriaus impulsų diagramos Nesimetriniai multivibratoriai, lyginant juos su simetriniais, yra paprastesni - turi mažiau detalių. Pagal formuojamų impulsų parametrus jie prilygsta blokinggeneratoriams. Be to, jiems nereikia impulsinio transformatoriaus, todėl nesimetriniai multivibratoriai vis plačiau taikomi integralinėse schemose. 6. Naudota literatūra: „Impulsinė technika“, Dailidėnas V., Lašas A., Mickūnas N., Šurna R. – 1976.

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!