Įtampa valdomo dvikrūvio tranzistoriaus ir simistoriaus tyrimas

1. Darbo tikslas.
Ištirti ir pagrįsti įtampa valdomo dvikrūvio tranzistoriaus bei simistoriaus veikimo principus ir savybes, voltamperinės charakteristikos ypatumus, darbą paprasčiausiuose elektroniniuose grandynuose. Išmokti rasti pagrindinius tranzistorių ir simistorių parametrus duomenų lapuose.
2. Teorinė dalis.
IGBT tranzistorių sudaro vienas lauko ir du dvipoliai tranzistoriai.Todėl IGBT tranzistorius vadinamas dvipoliu tranzistoriumi su izoliuota užtūra (angl. The Insulated Gate Bipolar Transistor, sutr. IGBT). IGBT tranzistoriai gali komutuoti apkrovas, kurių srovės siekia nuo kelių iki kelių tūkstančių amperų, o maitinimo įtampa – nuo dešimčių iki tūkstančių voltų.IGBT dažniausiai naudojami galios elektronikos programose, pvz., Inverteriuose, keitikliuose ir maitinimo šaltiniuose.
Simistorius - dvikryptis tiristorius, kuris praleidžia srovę i abi puses(skirtas kintamai srovei valdyti).Pagal veikimą simistoriai analogiški dviejų paprastų, lygiagrečiai priešingomis kryptimis sujungtų tiristorių porai.
3. Darbo rezultatai.
3.1. Įtampa valdomo dvikrūvio tranzistoriaus (IGBT) VACH tyrimas.
1 pav. IGBT tranzistoriaus tyrimo grandinės schema.
Matavimo schemą sudaro keičiamos nuolatinės įtampos šaltiniai. Užtūros įtampa matuojama maitinimo šaltinio pirmuoju kanalu (MŠ1), prijungus apsauginį rezistorių RG = 10 kΩ ir mikroampermetrą užtūros srovės matavimui. Kolektoriui prijungti naudojamas antrasis maitinimo šaltinio kanalas (MŠ2), kolektoriaus apkrova yra rezistorius RD = 500 Ω, kolektoriaus srovė IK matuojama miliampermetru ir kolektoriaus įtampa UK matuojama prie kolektoriaus elektrodo prijungtu voltmetru.
Užtūros maitinimo šaltinio įtampa nustatoma EG = 10 V.
Kolektoriaus grandinės šaltinio įtampa EK = 0 V.
3.2. IGBT tranzistoriaus BE perdavimo charakteristikos matavimas.
IGBT tranzistoriaus tiesioginės VACH šakos matavimas bus atliekamas naudojant 1pav. jungimo schema.
Nustatoma abiejų maitinimo šaltinių įtampa 0 V.
Nustatoma EK = 10 V.
Keičiant užtūros įtampą EG, gaunama kolektoriaus įtampa,tada pamatuojama įtampa ant tranzistoriaus užtūros UG (MŠ1 voltmetru) ir pamatuojama per tranzistorių tekanti srovė IK.
1 lentelė Perdavimo tyrimo rezultatai.
Ug, V
Ik, mA
Uk, V
0
0
10
5.47
0.13
9.9
5.85
1.79
9
5.95
3.59
8
6.01
5.45
7
6.05
7.2
6
6.09
9.44
5
6.11
10.81
4
6.14
13.18
3
6.16
14.97
2
6.18
16.83
1
8
17.74
0.495
10
17.74
0.495
Bandymo metu atlikus nubraižoma IGBT perdavimo charakteristika.Perdavimo charakteristika pateikiama 2 pav. Kai tranzistorius pilnai atsidaro (UGE=10 V) krentanti įtampa UKE yra 0,495 V.
2 pav. IGBT BE perdavimo charakteristika.
Šioje perdavimo charakteristikoje galime įžvelgti lauko tranzistoriui būdingas savybes. Užtūros įtampai pasiekus 5,47 V, IGBT tranzistorius pradeda atsidarinėti....

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!