Integriniai mikrograndynai

Elektronikos šaka nagrinėjanti mikroschemų gamybą, montavimą.
Tai vientisų technologinių procesų gamintas užbaigtas funkcinis įtaisas, susidedantis bent iš keleto neišardomai sujungtų elementų ir hermetizuotas viename korpuse.
Elektroniniuose įrenginiuose integriniai mikrograndynai yra pagrindinis vientisas nedalumas elementas toks, koks įprastinėje technikoje rezistorius, kondensatorius arba tranzistorius. Integriniai mikrograndynai susideda iš elementų ir komponentų.
Integriniu mikrograndynu elementu vadinama grandyno dalis, kuri atlieka puslaidininkio elemento (diodo, tranzistoriaus), kondensatoriaus funkciją ir konstruktyviai neatskiriama nuo Integrinių mikrograndyų.
Integriniu mikrograndynu komponentu vadinama ta grandyno dalis, kuri atlieka elektroninio elemento funkciją, bet iki montavimo yra savarankiškas gaminys.
Integriniai mikrograndynai klasifikuojami pagal gamybos technologiją, integracijos laipsnį, funkcinę paskirtį ir aktyviųjų elementų tipą.
Puslaidininkiniuose integriniuose mikrograndynuose visi elementai gaminami vieno puslaidininkio kristalo paviršiuje ir tūryje; kristalas yra korpuse.
Sluoksniniai integriniai mikrograndynai yra sudaryti iš sluoksninių elementų ant dielektriko paviršiaus. Plonos plėvelės (iki 10-6 m) yra gaunamos temovakuuminio nusodinimo ir katodinio purškimo būdu, o storos (daugiau kaip 10-6 m) – šilkografija arba įtrinant mišinį pro trafaretą. Sluoksninės technologijos metodu gaminami pasyvieji mikroschemų elementai – rezistoriai, kondensatoriai ir ritės.
Hibridiniai integriniai mikrograndynai yra sudaryti iš sluoksninių pasyviųjų elementų, nekorpusinių aktyviųjų elementų (diodų, tranzistorių) ir laidumo takelių bei aikštelių.
Priklausomai nuo elementų ir komponentų vietoje integriniu mikrograndynu skaičiaus mikroschemos būna skirtingo integracijos laipsnio. Integriniu mikrograndynu sudėtingumas apibūdinamas jų integracijos laipsniu Ki, priklausančiu nuo elementų skaičiaus N mikroschemoje. Ki lygus artimiausiam sveikajam skaičiui, nemažesniam kaip lgN:
Mikroschemos, kurių N ≤ 10, vadinamos pirmo integracijos laipsnio mikroschemomis (Ki=1); N=11…100, – antrojo (Ki=2); N=101…1000 – trečiojo (Ki=3); N=1001…10000 – ketvirtojo (Ki=4);N=10001…100000 – penktojo (Ki=5). IMS, kurių Ki=4, vadinamos didelėmis (DIS), kurių Ki=5, – superdidelėmis (SDIS).
Analoginės mikroschemos skirtos tolydiniams signalams perdirbti ir apdoroti, naudojamos analoginėje technikoje ir radioelektronikoje.
Skaitmeninės mikroschemos skirtos diskretiniams signalams (dvejetainėje sistemoje) perdirbti ir apdoroti, taikomos automatikoje, pramoninėje elektronikoje ir skaičiavimo technikoje.
Integriniu mikrograndynu gamybos pagrindiniai technologiniai procesai
Šiuolaikinių Integriniu mikrograndynu gamybos technologijoje yra daug operacijų:
Oksidavimas:
Silicio plokštelės oksidavimas vyksta (800-1200 °C) temperatūroje deguonies arba deguonies ir vandens garų mišinio...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!