Elektronikos pagrindai. Sekos sistemos stiprintuvas

Elektronikos pagrindų kursinio darbo užduotis: paskaičiuoti sekos sistemos stiprintuvą. Išeities duomenys ir reikalavimai: 1. Elektroninio stiprintuvo struktūra: 1,1 pav 2. Apkrovos galia: Pa = 0,3 W; 3. Apkrovos varža: Ra = 66 ; 4. Aplinkos temperatūra: ta = +35C; 5. Signalo šaltinio maksimali evj: Es =0,28 V; 6. Signalo šaltinio vidaus varža: Rs = 500 . 7. Stiprinimo koef. Reguliavimo diapazonas 1. Stiprinimo pakopos su EK skaičiavimas 1.1 Apskaičiuojama galia, kurią turi išskirti komplementinė tranzistorių pora: Psk.>1,1Pa.max. (1.1) Psk.>1,10,3 > 0,33 W ; Psk.>0,33 W; parenkame Psk = 0,4 W. 1.2 Apskaičiuojamos maksimalios tranzistorių kolektorių srovių reikšmės: (1.2) 1.3 Apskaičiuojamas temperatūrinės stabilizacijos varžos R0 dydis: R01 = R02 = R0 = (0,05  0,1)Ra; (1.3) R0= ( 0,05  0,1)66 = ( 3,3 6,6 ) ; Parenkama Ro=3,75 . Parinktų rezistorių duomenys pateikti 1 lentelėje: 1 lentelė Rezistoriai Rezistoriaus tipo pavadinimas Rezistorių nominalai,  Paklaida,  Leistina galia, W Leistina įtampa, V Sąlyginis žymėjimas R01, R02 МЛТ – 0,5 3,9 5 0,5 350 1.4 Apskaičiuojama maksimali kolektoriaus įtampos reikšmė Uc,max.: (1.4) 1.5 Apytiksliai apskaičiuojama maitinimo šaltinio įtampa E: E = Uc,max. + Uc.s; (1.5) Čia Uc,s – įsotinto tranzistoriaus kolektoriaus įtampa: mažos ir vidutinės galios tranzistoriams galima priimti 1V, didelės - iki 2V. E = 7,3 + 1 = 8,3 V. Apskaičiuojamos kolektorių įtampos Ec., kurias rekomenduojama paimti su atsarga: |-Ec| = |+Ec| = Ec = ( 1,3 1,5 )E; (1.6) Ec = ( 1,3 1,5 )8,3 = ( 10,79 12,45 ) V. Parenkama Ec = 11 V. 1.6 Iš žinynų parenkami tranzistoriai VT1 ir VT2 pagal šias sąlygas: Pc,lst.> ( 0,350,5 )Psk.; Ic,lst.> Ic,max.; (1.7) Uc,lst.> 2Ec. Pc,lst.> ( 0,350,5 )0,4 W; Ic,lst.> 0,11 A; Uc,lst.> 211 V. Pc,lst.> 0,15 W; Ic,lst.> 0,11 A; Uc,lst.> 22 V. 1.7 Įvertinus užduotyje nurodytą aplinkos temperatūrą ta = +35C iš žinynų parenkami kuo panašesnių parametrų n-p-n ir p-n-p struktūros tranzistoriai VT1 ir VT2. Parenkami: VT1 – n-p-n tipo, VT2 – p-n-p tipo. 1.8 Pagrindiniai parinktų tranzistorių paso duomenys surašomi į 2 lentelę. 2 lentelė VT tipas VT struktūra Ic,lst., A Uc,lst., V Pc,lst.,W tC h21min. H21max. Su aušinimu Be aušinimo KT3102B n-p-n 0,2 30 - 0,25 +35 200 500 KT3107B p-n-p 0,2 25 - 0,30 +35 70 140 1.9 Pateikiamas parinktų tranzistorių bendras vaizdas, elektrodų išdėstymo sistema bei grafinės įėjimo Ib = f(Ub)|Uc=const ir išėjimo Ic = f(Uc)|Ib=const charakteristikos. Tranzistoriai KT3102B ir KT3107B bei jų grafinės charakteristikos pavaizduoti 1,2 pav. 1,2 pav. 1.10 Parinktų tranzistorių charakteringų darbo taškų nustatymas ( žiūrėti 1.3 pav. ): Uc = Ec = 11 V; Ic,max. = 0,11 A; Uc,s = 2 V. 1.11 Grafinio sprendimo metodu randama Ib, Ub, Ib,max, Ub,max: Ib=0,45 mA; Ub=0,62 V; Ib,max=2,6 mA; Ub,max=0,75 V. 1.12 Apskaičiuojama maksimali įėjimo įtampa: Uin,max = Ub,max + Ib,maxR0; (1.8) Uin,max = 0,75 + 2,610-3 3,75 = 0,76 V. 1.13 Įvertinama įtampos daliklio darbo srovė pagal sąlygą: Id  Ib,max; (1.9) Id  2,6 mA; Parenkama Id = 2,8 mA. 1.14 Skaičiuojamas įtampos daliklis tranzistoriaus poslinkio įtampoms sudaryti. Rezistorių R3, R6 bei R4, R5 varžos ir juose atsirandanti galia apskaičiuojama taip: (1.10) . (1.11) (1.12) P3 = P6 = (2,810-3+0,4510-3)22843,1 = 0,03 W; (1.13) P4 = P5 = (2,810-3)2271,4 = 0,002 W; Parinktų rezistorių duomenys pateikiami 3 lentelėje: 3 lentelė Rezistoriai Rezistoriaus tipo pavadinimas Rezistorių nominalai,  Paklaida,  Leistina galia, W Leistina įtampa, V Sąlyginis žymėjimas R3, R6 МЛТ – 0,25 3000 5 0,25 250 R4, R5 МЛТ – 0,25 300 5 0,25 250 1.15 Emiterinio kartotuvo įėjimo varža Rin,ek, kuri yra OS apkrova, apskaičiuojama pagal išraiškas: (1.14) Čia: (1.15) (1.16) (1.17) Tada Rin,ek: 1.16 Apskaičiuojama emiterinio kartotuvo įėjimo įtampa Uin,ek: Uin,ek = Ib,max(R4+Rb+(R0+Ra)h21) ; (1.18) Uin,ek = 2,610-3(+60,5+(3,75+50)50)=7,8 V. 1.17 Apskaičiuojamas emiterinio kartotuvo įėjimo įtampos perdavimo koeficientas: (1.19) 1.18 Diodai VD1 irVD2 parenkami taip, kad jų atsidarymo įtampos tiesiogine kryptimi UF būtų voltų dalimis didesnės už Ub,max. Parinktų diodų duomenys pateikiami 4 lentelėje. 4 lentelė Diodas Diodo tipas Leistina tiesioginė srovė IF Atsidarymo įtampa UF Leistina atgalinė įtampa UR Maksimali darbo temperatūra - - A V V C VD1 Д206 0,1 1,0 100,0 VD2 Tuomet apribota apkrovos srovė: (1.20) . 2 Stiprintuvo su OS skaičiavimas 2.1 Pradiniai skaičiavimo duomenys: Rin,ek = 1092,4  ; Uin,ek = 7,8 V ; Es = 0,1 V ; Rs = 2000 . 2.2 Parenkamas OS pagal šias sąlygas: Uin,max>Es; Uin,max>0,1 V; Uex,max>Uin,ek; (2.1) Uex,max>7,8 V; Ra,os

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!