Dvikrūvių (bipoliariųjų) tranzistorių bandymai

1. Darbo tikslas.
Tyrinėti ir pagrįsti dvikrūvio (bipoliariojo) tranzistoriaus veikimo principus ir savybes, įvairių tranzistoriaus junginių VACh ir parametrus, įvertinti tranzistoriaus teorinių ar matematinių modelių ir realių tranzistorių atitikimo laipsnį. Išmokti praktiškai apriboti tranzistoriaus darbą leidžiamųjų būvių ar režimų ribose. Patyrinėti ir pagrįsti tranzistoriaus darbą paprasčiausiose elektroninėse grandinėse, t.y. tranzistoriaus kaip grandinių teorijos srovės šaltinio, elektroninio jungiklio, stiprinimo elemento ir kaip signalo invertoriaus darbą. Išmokti naudotis tranzistorių žinynais.
2. Teorinė dalis ir matavimo metodas.
Tranzistoriais vadinami puslaidininkiniai prietaisai su viena ar keliomis pn sandūromis, tinkantys galiai stiprinti ir turintys tris (ar daugiau) išorinius išvadus. Labiausiai paplitę tranzistoriai turi dvi pn sandūras. Dviejų sandūrų tranzistoriuose panaudojami dviejų rūšių krūvininkai (elektronai ir skylės), todėl jie ir vadinami dvipoliais.
Pagrindinis dvipolio tranzistoriaus elementas yra puslaidininkio kristalas, kuriame, panaudojant priemaišas, sudarytos trys skirtingo laidumo zonos. Jei vidurinė zona yra n (elektroninio) laidumo, o dvi kraštinės – p (skylinio) laidumo, tai prietaisas vadinamas pnp struktūros tranzistoriumi. Npn struktūros tranzistorių vidurinė zona yra skylinio, o kraštinės – elektroninio laidumo.
1 pav. Dvipolio tranzistoriaus schema.
Vidurinė puslaidininkio kristalo sritis 1, kurioje sudaromos pn sandūros, vadinama baze, kraštinė sritis 2, kuri injektuoja krūvininkus , - emiteriu, o sritis 3, surenkanti injektuotus krūvininkus, - kolektoriumi. Prie kiekvienos šių kristalo sričių prilituoti išoriniai išvadai – emiterio E, bazės B ir kolektoriaus K, - kuriais tranzistorius įjungiamas į schemą. Kristalas įtvirtintas specialiame laikiklyje ir hermetizuojamas metaliniu, plastmasiniu ar stikliniu korpusu. Išoriniai išvadai išvesti į korpuso išorę per izoliatorius.
Elektroninio ir skylinio laidumo sričių sandūra tarp emiterio ir bazės vadinama emiterine, o tarp bazės ir kolektoriaus – kolektorine sandūra. Tranzistoriaus bazės sritis daroma labai plona (nuo 1 iki 20m). Įvairios tranzistoriaus sritys yra legiruotos nevienodai. Paprastai emiterio srities legiravimo laipsnis yra 2 – 3 eilėmis aukštesnis negu bazės srities. Bazės ir kolektoriaus sričių legiravimo laipsnis priklauso nuo prietaiso tipo.
Kad tranzistorius veiktų, prie jo elektrodų reikia prijungti išorinių energijos šaltinių...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!