Atvirkštiniai diodai

Naujų efektyvių automatikos, skaičiavimo ir kibernetikos įrenginių gamybai ir eksploatavimui reikalingi šiuolaikiniai specialistai, gerai išmanantys fizinę ir techninę elektroniką.
Nors mikroelektronika sparčiai tobulėja ir skverbiasi į įvairias elektroninės technikos sritis, bet įvairioje elektroninėje aparatūroje vis dar tebenaudojami ir bus naudojami ateityje kai kurių rūšių elektroniniai prietaisai. Nežinant kokiu principu veikia šie prietaisai, neįmanoma visapusiškai išnaudoti jų galimybių.
Šiame darbe smulkiau bus aptarti atvirkštiniai diodai, jų veikimas, panaudojimas ir savybės bei parametrai.
Puslaidininkiniai diodai
Puslaidininkinį diodą sudaro puslaidininkio kristale suformuota pn sandūra, išvadai ir korpusas. Silpniau legiruota diodo-kristalo sritis vadinama baze. Kita, stipriau legiruota sritis, iš kurios tiesioginei srovei, emituojami difunduojantys per pn sandūrą ir injektuojami į bazę krūvininkai, vadinama emiteriu. Diodo p srities išvadas vadinamas anodiniu, n srities – katodiniu išvadu.
Atsižvelgiant į pn sandūrų konstrukcijas, puslaidininkiniai diodai skirstomi į taškinius ir plokštinius. Taškinis diodas sudarytas iš puslaidininkinės medžiagos ir prie jos prispaustos adatos, o plokštieji diodai gaminami sulydymo būdu.
Taškiniai. Jei puslaidininkio monokristalas yra elektroninio laidumo, tai adatos galas iš anksto padengiamas trivalente akceptorine priemaiša – aliuminiu, indžiu arba galiu. Per kontaktą paleidžiamas galingas srovės impulsas. Jis įkaitina adatos ir kristalo sąlyčio vietą ir adatos galas įsilydo į puslaidininkį. Taškinių diodų pn sandūros plotas paprastai ne didesnis kaip 50m2.
Plokštieji. Į elektroninio laidumo silicio kristalą 600-700C temperatūroje įlydoma aliuminio tabletė. Aplink aliuminio tabletę susidaro skylinio laidumo silicio sritis. Lydytinių sandūrų plotas gali būti gana didelis.
Tobulesnės yra pn sandūros sudarymo technologija, pagal kurią priemaišos atomai į puslaidininkinį kristalą difunduoja aukštoje temperatūroje iš dujinės aplinkos.
Kartais vietoj pn sandūrų dioduose naudojami metalo puslaidininkio kontaktai su Štotkio barjerais. Tokie diodai gaminami naudojant mezadiodų (turintys mažą pn sandūros plotą) arba planarinių diodų technologijas. Metalo sluoksnis ant rūpestingai ir kruopščiai nuvalyto puslaidininkio pavišiaus užgarinamas vakuume.
Naudojamos ir kitos pn sandūros. Seleno dioduose heterogeninės on sandūros sudaromos tarp p tipo seleno ir n tipo kadmio selenido.
Taškinio diodo pn darinys: 1 – puslaidininkio lustas, 2...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!