A-Si:H sluoksnių gamyba karštos vielos metodu

tai ir fotojautrių sluoksnių kopijavimo aparatūroje gamybai, saulės elementams, plonasluoksniams tranzistoriams, naudojamiems skystų kristalų ekranuose, įvairiems vaizdo priėmėjams gaminti.
Viena iš platesnių amorfinių medžiagų pritaikymo sričių yra saulės elementų gamyba. Saulės elementas – tai fotoelektrinis prietaisas, skirtas saulės energiją paversti į elektrinę. Saulės elementų panaudojimas patrauklus tuo, kad tai yra praktiškai neišsenkantis energijos šaltinis.
Paskutiniu metu tiriami a-Si:H arba cSi:H, kurie gali patenkinti keliamus reikalavimus. Vandenilis įvedamas, kad išvalytų draustinių juostų tarpą nuo lokalinių būsenų, kurios blogina sluoksnių fotoelektrines savybes. Sluoksniai, suformuoti iš paminėtų medžiagų, pasižymi geromis fotoelektrinėmis savybėmis. Sluoksnių gamybos technologijų yra keletas, iš kurių šiuo metu perspektyviausia - panaudojant karštą vielą, kuri sąlygoja kokybiškesnių sluoksnių gavimą, supaprastina technologinę įrangą lyginant su kitais gamybos būdais. Pavyzdžiui, nereikia naudoti aukšto dažnio elektrinio lauko kaip rusenančio išlydžio metode.
Mano darbo tikslas - susipažinti su a-Si:H gamybos technologijomis, atkreipiant dėmesį į karštos vielos metodą, kuris mūsuose dar nenagrinėtas, bei, remiantis šiuo metodu, pagaminti a-Si:H sluoksnių pavyzdžių. Taip pat nustatyti technologinius parametrus, kuriems esant būtų gaunami geriausias elektrines savybes turintys sluoksniai.
Amorfiniai kūnai skirtingai nei kristaliniai pasižymi tik artimąja tvarka. Artimąja tvarka pasižyminčiuose kūnuose atomų simetrinis išdėstymas išlieka tik kelių tarpatominių atstumų ilgyje, kai tuo tarpu kristaliniuose kūnuose tolimoji tvarka pasireiškia periodiniu atomų išsidėstymu per 10 – 100 tarpatominių atstumų.
Amorfiniai puslaidininkiai nėra pagaminami iš lydalo. Paprastai jie gaunami plonų sluoksnių pavidalu. Pagamintas sluoksnis yra amorfinis tuomet, kai rentgenogramoje stebimi difuziniai žiedai, o ne Brego žiedai ar atskiros dėmės, charakteringi polikristaliniams ar monokristaliniams kietiems kūnams. Amorfinis kūnas virsta kristaliniu atsirandant jame gemalams (mikrokristalams).
2. H – įtaka a-Si savybėms
A-Si dėl netvarkios struktūros draudžiamų energijų juostos tarpe atsiranda lokalinės būsenos. Tiriant a-Si:H, pagamintą rusenančiame išlydyje, pastebėta, kad didėjant vandenilio kiekiui sluoksnyje, valentinės zonos viršus leidžiasi žemyn ir didėja draudžiamų energijų juostos tarpas. Tai yra todėl, kad įvesti H atomai užpildo Si-Si nutrauktus ryšius ir kadangi Si-H ryšio energija didesnė nei...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!